
Hindi: 
यहां कई आविष्कार हैं, जैसे आग की खोज, पहिए की खोज जिसने मनुष्य के इतिहास को बदल दिया
ऐसा ही एक आविष्कार अर्धचालकों का उपयोग है।
अर्धचालक का उपयोग अपेक्षाकृत नए आविष्कार की तुलना करके होता है,
जैसा कि यह केवल 1947 में है कि अर्धचालक का उपयोग पहले काम करने वाले ट्रांजिस्टर बनाने के लिए किया गया था।
अर्धचालकों से बने नए उपकरणों को लगातार बनाया जा रहा है
और हम अभी भी नहीं जानते हैं कि यह कहां तक ​​पहुंचेगा।
हम उस समय इस्तेमाल की गई तकनीक के आधार पर अपने इतिहास को विभाजित करते हैं,
जैसे कि पाषाण युग, कांस्य युग और लौह युग।

Italian: 
Ci sono certe invenzioni, come la scoperta del fuoco, o la realizzazione della prima ruota, che hanno cambiato il corso della storia umana
Una invenzione di questo tipo è l'uso dei semiconduttori
L'uso dei semiconduttori è per confronto una invenzione relativamente nuova
perché è solo nel 1947 che i semiconduttori sono stati usati per creare il primo transistor funzionante
Nuovi dispositivi fatti da semiconduttori vengono costantemente fabbricati
e noi ancora non sappiamo dove la vera portata di ciò ci condurrà.
Noi dividiamo la nostra storia, sulla base della tecnologia usata in ogni età,
in Età della Pietra, in Età del Bronzo, ed Età del Ferro.

Russian: 
Существуют определенные изобретения, такие как открытие огня и изобретение колеса, которые изменили ход человеческой истории.
Одним из таких изобретений является использование полупроводников.
Использование полупроводников является сравнительно новым изобретением,
поскольку только в 1947 году полупроводники были использованы для создания первого рабочего транзистора.
Новые устройства из полупроводников постоянно создаются
и мы до сих пор не знаем в полной мере, к чему это приведет.
Мы делим нашу историю на основе технологий, используемых в то время,
такие как каменный век, бронзовый век и железный век.

Persian: 
یکسری از اختراعات و اکتشافات مانند اکتشاف آتش و یا اختراع چرخ، تاریخ بشر را به کل تغییر داده اند.
نمونه ی دیگری از این دست اختراعات و اکتشافات، اختراع نیمه رسانا ها هست.
هرچند اختراع قطعات الکترونیکی بر پایه نیمه رساناها، به نسبت امر جدیدی است.
به طوری که در سال 1947 میلادی، نیمه رساناها برای اولین بار در ساخت اولین ترانزیستور مورد استفاده قرار گرفتند.
و از آن پس، تا امروز مدام دستگاه های مختلف و جدید بر پایه این نیمه رساناها در حال ساخت هستند.
و ما هنوز قادر نیستیم تشخیص دهیم که این روند تا کجا ادامه خواهد داشت.
ما همواره تاریخ را بر اساس تکنولوژی مورد استفاده در آن زمان تقسیم بندی میکنیم.
مانند، عصر حجر، عصر برنز و عصر آهن

Serbian: 
Постоје одређени изуми, као што су
откриће ватре и изум точка,
који су променили ток људске историје.
Један такав изум је употреба полупроводника.
Употреба полупроводника је релативно нов изум,
јер су тек 1947. полупроводници кориштени за израду првог функционалног транзистора.
Нови полупроводнички уређаји
се константно праве
и још увeк не знамо колико далеко ће нас ово одвести.
Ми делимо историју према технологији која се користила у датом периоду:
Такви су Камено доба, Бронзано доба и Гвоздено доба.

Japanese: 
いくつかの発明－火の発見や車輪の発明など－が人類の歴史を変えてきました
そうした発明の 1つが、半導体の利用です
半導体の利用は、比較的新しい発明で
1947年に最初のトランジスタを作るのに使われました
新しい部品が半導体から次々と作られていて
どこに行きつくのか、まだ完全にはわかっていません
私たちは当時使われていたテクノロジーで歴史を分類します
例えば石器時代、青銅器時代、鉄器時代などです

Portuguese: 
Existem certas invenções, como a descoberta do fogo e a invenção da roda, que mudaram o curso da história da humanidade.
 
Uma dessas invenções é o uso de semicondutores.
O uso de semicondutores é, por comparação, uma invenção relativamente nova,
já que somente em 1947 os semicondutores foram usados ​​para criar o primeiro transistor em funcionamento.
Novos dispositivos feitos a partir de semicondutores estão sendo feitos constantemente
e ainda não sabemos até que ponto isso levará.
Dividimos nossa história com base na tecnologia usada na época,
como a Idade da Pedra, a Idade do Bronze e a Idade do Ferro.

Vietnamese: 
Có những phát minh nhất định, chẳng hạn như phát hiện ra lửa và phát minh ra bánh xe, đã thay đổi tiến trình lịch sử loài người.
Một trong những phát minh như vậy là việc sử dụng chất bán dẫn.
So sánh việc sử dụng chất bán dẫn là một phát minh tương đối mới,
vì chỉ đến năm 1947, chất bán dẫn mới được sử dụng để tạo ra bóng bán dẫn hoạt động đầu tiên.
Các thiết bị mới làm từ chất bán dẫn liên tục được tạo ra
và chúng tôi vẫn chưa biết toàn bộ mức độ điều này sẽ dẫn đến đâu.
Chúng tôi phân chia lịch sử của mình dựa trên công nghệ được sử dụng vào thời điểm đó,
chẳng hạn như thời đại đồ đá, đồ đồng và đồ sắt.

Spanish: 
Hay ciertos inventos, como el descubrimiento del fuego y la invención de la rueda, que han cambiado el curso de la historia humana.
Una de estas invenciones es el uso de semiconductores.
El uso de semiconductores es, en comparación, una invención relativamente nueva,
fue sólo en 1947 que se utilizaron semiconductores para crear el primer transistor funcional.
Constantemente se fabrican nuevos dispositivos hechos de semiconductores
y todavía no sabemos la completa extensión donde esto nos llevará.
Dividimos nuestra historia en función de la tecnología utilizada en ese momento,
como la Edad de Piedra, la Edad de Bronce y la Edad de Hierro.

Indonesian: 
Ada penemuan-penemuan tertentu, seperti penemuan api dan penemuan roda, yang telah mengubah arah sejarah manusia.
Salah satu penemuan tersebut adalah penggunaan semikonduktor.
Penggunaan semikonduktor adalah dengan perbandingan penemuan yang relatif baru,
karena hanya pada tahun 1947 semikonduktor digunakan untuk membuat transistor yang berfungsi pertama.
Perangkat baru yang dibuat dari semikonduktor terus-menerus dibuat
dan kita masih belum tahu sepenuhnya ke mana ini akan mengarah.
Kami membagi sejarah berdasarkan teknologi yang digunakan saat itu,
seperti Zaman Batu, Zaman Perunggu, dan Zaman Besi.

Spanish: 
Hay algunos inventos, como el descubrimiento del fuego y la invención de la rueda, los cuales han cambiado el curso de la historia humana.
Uno de esos inventos a sido el uso de semiconductores
El uso de semiconductores is por comparación un invento relativamente nuevo.
Solo en 1947 los semiconductores fueron usados para crear el primer transistor funcional.
Nuevos dispositivos hechos con semiconductores son constantemente creados.
Y todavía no sabemos el alcance que esto puede tener.
Dividimos nuestra historia basado en la tecnología usada en cada época.
como la edad de piedra, la edad de bronce y la edad de hierro.

Modern Greek (1453-): 
Υπάρχουν ορισμένες εφευρέσεις, όπως η ανακάλυψη της φωτιάς και η εφεύρεση του τροχού, που άλλαξαν την πορεία της ανθρώπινης ιστορίας.
Μία τέτοια εφεύρεση είναι αυτή των ημιαγωγών.
Οι ημιαγωγοί είναι μια σχετικά πρόσφατη εφεύρεση,
καθώς μόλις το 1947 χρησιμοποιήθηκαν για τη δημιουργία του πρώτου τρανζίστορ.
Νέες συσκευές που χρησιμοποιούν ημιαγωγούς κατασκευάζονται συνεχώς
και ακόμα δεν γνωρίζουμε το πλήρες εύρος του πού θα οδηγήσει η χρήση τους.
Χωρίζουμε τις ιστορικές περιόδους με βάση την τεχνολογία που χρησιμοποιείται εκείνη τη στιγμή,
όπως η "Εποχή του Λίθου", η "Εποχή του Χαλκού" και η "Εποχή του Σιδήρου".

Malayalam: 
മനുഷ്യന്റെ ചരിത്രത്തിന്റെ ഗതിയെ മാറ്റിമറിച്ച തീയുടെ കണ്ടെത്തലും ചക്രത്തിന്റെ കണ്ടുപിടുത്തവും പോലുള്ള ചില കണ്ടുപിടുത്തങ്ങളുണ്ട്.
അത്തരത്തിലുള്ള ഒരു കണ്ടുപിടുത്തമാണ് അർദ്ധചാലകങ്ങളുടെ ഉപയോഗം
താരതമ്യേന പുതിയ കണ്ടുപിടുത്തത്തെ താരതമ്യപ്പെടുത്തിയാണ് അർദ്ധചാലകങ്ങളുടെ ഉപയോഗം
1947 ൽ മാത്രമാണ് ആദ്യത്തെ വർക്കിംഗ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ സൃഷ്ടിക്കാൻ അർദ്ധചാലകങ്ങൾ ഉപയോഗിച്ചത്
അർദ്ധചാലകങ്ങളിൽ നിന്ന് നിർമ്മിച്ച പുതിയ ഉപകരണങ്ങൾ നിരന്തരം നിർമ്മിക്കപ്പെടുന്നു
ഇത് എവിടേക്ക് നയിക്കുമെന്നതിന്റെ പൂർണ്ണ വ്യാപ്തി ഇപ്പോഴും നമ്മൾക്ക് അറിയില്ല.
നമ്മൾ നമ്മളുടെ ചരിത്രം വിഭജിച്ചിരിക്കുന്നത്  ആ കാലത്ത് ഏത് സാങ്കേതികവിദ്യയാണ് ഉപയോഗിച്ചിരുന്നത് എന്നതിനെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയാണ്
ശിലായുഗം, വെങ്കലയുഗം, ഇരുമ്പുയുഗം എന്നിവ

Turkish: 
Ateşin keşfi ve tekerleğin icadı gibi insanlık tarihinin gidişatını değiştiren bazı icatlar vardır.
Böyle bir buluş yarı iletkenlerin kullanılmasıdır.
Yarıiletkenlerin kullanımı nispeten yeni bir buluştur,
Transistör oluşturmak için, ilk çalışma fikri,1947'de yarı iletkenlerin kullanılmaya başlamasıyla oluşmuştur.
Yarı iletkenlerden yapılan yeni cihazlar sürekli olarak üretilmektedir
ve bunun nereye gideceğini tam olarak bilmiyoruz.
Tarihimizi o sırada kullanılan teknolojiye göre ayırıyoruz,
Taş Devri, Bronz Devri ve Demir Devri gibi.

Arabic: 
هناك اختراعات معينة ، مثل اكتشاف النار واختراع العجلة ، والتي غيرت مسار التاريخ البشري.
أحد هذه الاختراعات هو استخدام أشباه الموصلات.
بالمقارنة ، استخدام أشباه الموصلات هو اختراع جديد نسبيًا ،
لأنه فقط في عام 1947 تم استخدام أشباه الموصلات لإنشاء أول ترانزستور عامل.
يتم باستمرار تصنيع أجهزة جديدة مصنوعة من أشباه الموصلات
وما زلنا لا نعرف المدى الكامل للمكان الذي سيؤدي إليه ذلك.
نقسم تاريخنا على أساس التكنولوجيا المستخدمة في ذلك الوقت ،
مثل العصر الحجري والعصر البرونزي والعصر الحديدي.

English: 
There are certain inventions, such as the discovery of fire and the invention of the wheel, which have changed the course of human history.
One such invention is the use of semiconductors.
The use of semiconductors is by comparison a relatively new invention,
as it is only in 1947 that semiconductors were used to create the first working transistor.
New devices made from semiconductors are constantly being made
and we still do not know the full extent of where this will lead.
We divide our history based on the technology used at the time,
such as the Stone Age, the Bronze Age, and the Iron Age.

Telugu: 
అగ్నిని కనుగొనడం మరియు చక్రం యొక్క ఆవిష్కరణ వంటి కొన్ని ఆవిష్కరణలు ఉన్నాయి, ఇవి మానవ చరిత్ర యొక్క గతిని మార్చాయి.
అలాంటి ఒక ఆవిష్కరణ సెమీకండక్టర్ల వాడకం.
సెమీకండక్టర్ల ఉపయోగం సాపేక్షంగా కొత్త ఆవిష్కరణను పోల్చడం ద్వారా,
మొదటి పని ట్రాన్సిస్టర్‌ను రూపొందించడానికి సెమీకండక్టర్లను 1947 లో మాత్రమే ఉపయోగించారు.
సెమీకండక్టర్ల నుండి తయారైన కొత్త పరికరాలు నిరంతరం తయారు చేయబడుతున్నాయి
మరియు ఇది ఎక్కడికి దారితీస్తుందో మాకు ఇంకా తెలియదు.
ఆ సమయంలో ఉపయోగించిన సాంకేతికత ఆధారంగా మేము మా చరిత్రను విభజిస్తాము,
రాతియుగం, కాంస్య యుగం మరియు ఇనుప యుగం వంటివి.

Kannada: 
ಬೆಂಕಿಯ ಆವಿಷ್ಕಾರ ಮತ್ತು ಚಕ್ರದ ಆವಿಷ್ಕಾರದಂತಹ ಕೆಲವು ಆವಿಷ್ಕಾರಗಳಿವೆ, ಅವು ಮಾನವ ಇತಿಹಾಸದ ಹಾದಿಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಿವೆ.
 
ಅಂತಹ ಒಂದು ಆವಿಷ್ಕಾರವೆಂದರೆ ಅರೆವಾಹಕಗಳ ಬಳಕೆ.
ಅರೆವಾಹಕಗಳ ಬಳಕೆಯು ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಹೊಸ ಆವಿಷ್ಕಾರವನ್ನು ಹೋಲಿಸುವ ಮೂಲಕ,
1947 ರಲ್ಲಿ ಅರೆವಾಹಕಗಳನ್ನು ಮೊದಲ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ರಚಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು.
ಅರೆವಾಹಕಗಳಿಂದ ತಯಾರಿಸಿದ ಹೊಸ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ನಿರಂತರವಾಗಿ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ
ಮತ್ತು ಇದು ಎಲ್ಲಿಗೆ ಕರೆದೊಯ್ಯುತ್ತದೆ ಎಂಬುದರ ಪೂರ್ಣ ವ್ಯಾಪ್ತಿ ನಮಗೆ ಇನ್ನೂ ತಿಳಿದಿಲ್ಲ.
ಆ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಬಳಸಿದ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ನಾವು ನಮ್ಮ ಇತಿಹಾಸವನ್ನು ವಿಭಜಿಸುತ್ತೇವೆ,
ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಶಿಲಾಯುಗ, ಕಂಚಿನ ಯುಗ ಮತ್ತು ಕಬ್ಬಿಣಯುಗ.

Indonesian: 
Beberapa ribu tahun dari sekarang, penemuan semikonduktor dapat dipandang sebagai salah satu garis demarkasi besar dalam sejarah.
Untuk memahami semikonduktor, kita harus terlebih dahulu memahami apa yang membuat beberapa konduktor bahan, dan isolator bahan lainnya.
Ketinggian grafik ini mewakili energi setiap elektron.
Di dalam suatu bahan, beberapa tingkat energi diperbolehkan, sedangkan tingkat energi lainnya dilarang.
Dalam grafik ini, elektron diizinkan di tingkat energi di atas dan di bawah, tetapi ada kesenjangan besar tingkat energi terlarang di antaranya.
Dalam contoh ini, pita atas tingkat energi yang diijinkan sebagian penuh.
Ini memberi ruang bagi elektron untuk bergerak.

Persian: 
چندین هزار سال بعد، ممکن است اختراع نیمه رساناها، از دید آیندگان به عنوان یک مرز جداکننده در تاریخ شناخته شود.
از این رو برای درک بهتر نیمه رساناها، ابتدا لازم است نگاهی بیاندازیم به ساختار
موادی که رسانا و عایق الکتریسیته هستند.
در این تصویر، ارتفاع، نمایان گر انرژی هر الکترون است.
داخل یک ماده، برخی مقادیر انرژی مجاز و قابل دسترس هستند
در حالی که برخی مقادیر دیگر غیر مجاز و غیر قابل دسترس هستند
در این تصویر، الکترون ها مجاز هستند که مقادیر انرژی موجود در پایین صفحه
و همچنین بالای صفحه را داشته باشند، هرچند فاصله ی خالی و بزرگی بین این مقادیر در وسط تصویر مشاهده میشود.
در این مثال، مقادیر انرژی بالای صفحه نیمه پر در نظر گرفته شده اند.
این امر باعث میشود تا الکترون ها به سادگی بتوانند آزادانه در آن مقادیر حرکت کنند.

Turkish: 
Bundan binlerce yıl sonra yarı iletkenlerin keşfi tarihin en büyük sınır çizgilerinden biri olarak görülebilir.
Yarı iletkenleri anlamak için önce bazı malzeme iletkenlerini ve diğer malzeme izolatörlerini neyin yaptığını anlamamız gerekir.
Bu grafiğin yüksekliği her elektronun enerjisini temsil eder.
Bir malzemenin içinde bazı enerji seviyelerine izin verilirken, diğer enerji seviyelerine izin verilmez.
Bu grafikte, elektronlara üstte ve altta enerji seviyelerinde izin verilir, ancak aralarında yasak enerji seviyeleri arasında büyük bir boşluk vardır.
Bu örnekte, izin verilen enerji seviyelerinin üst bandı kısmen doludur.
Bu elektronların hareket etmesini sağlar.

English: 
Several thousand years from now, the discovery of semiconductors may be viewed as one of the great demarcation lines of history.
In order to understand semiconductors, we need to first understand what makes some materials conductors, and other materials insulators.
The height of this graph represents the energy of each electron.
Inside a material, some energy levels are allowed, whereas other energy levels are forbidden.
In this graph, electrons are allowed in the energy levels at the top and at the bottom, but there is a large gap of forbidden energy levels in between.
In this example, the top band of allowable energy levels is partially full.
This gives the electrons room to move around.

Arabic: 
بعد عدة آلاف من السنين ، يمكن اعتبار اكتشاف أشباه الموصلات أحد خطوط ترسيم الحدود العظيمة في التاريخ.
من أجل فهم أشباه الموصلات ، نحتاج أولاً إلى فهم ما يجعل بعض موصلات المواد ، وعوازل المواد الأخرى.
يمثل ارتفاع هذا الرسم البياني طاقة كل إلكترون.
داخل المادة ، يُسمح ببعض مستويات الطاقة ، في حين أن مستويات الطاقة الأخرى ممنوعة.
في هذا الرسم البياني ، يُسمح بالإلكترونات في مستويات الطاقة في الأعلى وفي الأسفل ، ولكن هناك فجوة كبيرة بين مستويات الطاقة المحظورة بينهما.
في هذا المثال ، يكون النطاق العلوي لمستويات الطاقة المسموح بها ممتلئًا جزئيًا.
هذا يعطي الإلكترونات مساحة للتحرك.

Japanese: 
数千年後、半導体の発見は歴史の大きな境界線の 1つに見えるかもしれません
半導体を理解するためには、まず、何が物質を導体と絶縁体とに分けるのかを理解する必要があります
このグラフの高さは、各電子のエネルギーを表します
物質内では、一部のエネルギーレベルは許され、他のエネルギーレベルは禁止されています
このグラフで、電子は上部と下部のエネルギーレベルをとれ、その間に大きな禁止されたギャップがあります
例では、上部の許容帯が部分的に満たされています
これにより、電子が移動する余地が生まれます

Kannada: 
ಇಂದಿನಿಂದ ಹಲವಾರು ಸಾವಿರ ವರ್ಷಗಳ ನಂತರ, ಅರೆವಾಹಕಗಳ ಆವಿಷ್ಕಾರವನ್ನು ಇತಿಹಾಸದ ಶ್ರೇಷ್ಠ ಗಡಿರೇಖೆಯ ರೇಖೆಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿ ನೋಡಬಹುದು.
ಅರೆವಾಹಕಗಳನ್ನು ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳಲು, ಕೆಲವು ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಕಂಡಕ್ಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಇತರ ವಸ್ತುಗಳ ಅವಾಹಕಗಳನ್ನು ಯಾವುದು ಮಾಡುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ನಾವು ಮೊದಲು ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳಬೇಕು.
ಈ ಗ್ರಾಫ್‌ನ ಎತ್ತರವು ಪ್ರತಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ನ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುತ್ತದೆ.
ವಸ್ತುವಿನ ಒಳಗೆ, ಕೆಲವು ಶಕ್ತಿಯ ಮಟ್ಟವನ್ನು ಅನುಮತಿಸಲಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಇತರ ಶಕ್ತಿಯ ಮಟ್ಟವನ್ನು ನಿಷೇಧಿಸಲಾಗಿದೆ.
ಈ ಗ್ರಾಫ್‌ನಲ್ಲಿ, ಮೇಲ್ಭಾಗದಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಕೆಳಭಾಗದಲ್ಲಿರುವ ಶಕ್ತಿಯ ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳನ್ನು ಅನುಮತಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ನಡುವೆ ನಿಷೇಧಿತ ಶಕ್ತಿಯ ಮಟ್ಟಗಳ ದೊಡ್ಡ ಅಂತರವಿದೆ.
ಈ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ, ಅನುಮತಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯ ಮಟ್ಟಗಳ ಉನ್ನತ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಭಾಗಶಃ ತುಂಬಿದೆ.
ಇದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳ ಕೋಣೆಯನ್ನು ಸುತ್ತಲು ನೀಡುತ್ತದೆ.

Russian: 
Через несколько тысяч лет открытие полупроводников можно рассматривать как одну из великих демаркационных линий истории.
Чтобы понять полупроводники, мы должны сначала понять, что делает некоторые материалы проводниками, а другие материалы изоляторами.
Высота этого графика представляет энергию каждого электрона.
Внутри материала разрешены некоторые энергетические уровни, тогда как другие энергетические уровни запрещены.
На этом графике электроны допускаются на уровнях энергии вверху и внизу, но между ними существует большой разрыв запрещенных уровней энергии.
В этом примере верхняя полоса допустимых уровней энергии частично заполнена.
Это дает электронам пространство для движения.

Spanish: 
Quizás en miles de años en el futuro, el descubrimiento de los semiconductores pueda ser visto como uno de los grandes hitos que marcaran la historia.
Para comprender los semiconductores, primero necesitamos entender que es lo que hace algunos materiales conductores y a otros materiales aislantes.
La altura del grafico representa la energía de cada electrón.
Dentro de el material, algunos niveles de energías son permitidos, mientras que otros niveles están prohibidos.
En este grafico, los electrones son permitidos en los niveles de energías arriba y abajo, pero hay un gran espacio con niveles de energía prohibidos entremedio.
En este ejemplo, los niveles de energía superiores están parcialmente llenos.
Esto le da a los electrones espacio para moverse.

Portuguese: 
Daqui a vários milhares de anos, a descoberta de semicondutores pode ser vista como uma das grandes linhas de demarcação da história.
Para entender os semicondutores, precisamos primeiro entender o que faz com que alguns condutores de materiais e outros isoladores de materiais.
A altura deste gráfico representa a energia de cada elétron.
Dentro de um material, alguns níveis de energia são permitidos, enquanto outros são proibidos.
Neste gráfico, os elétrons são permitidos nos níveis de energia na parte superior e inferior, mas há uma grande lacuna de níveis de energia proibidos no meio.
Neste exemplo, a faixa superior dos níveis de energia permitidos está parcialmente cheia.
Isso dá aos elétrons espaço para se movimentar.

Malayalam: 
കഴിഞ്ഞ  ആയിരക്കണക്കിന് വർഷങ്ങൾക്കിടയിൽ, അർദ്ധചാലകങ്ങളുടെ കണ്ടെത്തൽ ചരിത്രത്തിലെ ഏറ്റവും വലിയ നാഴിക കല്ലുകളിൽ ഒന്നായി  കണക്കാക്കാം
അർദ്ധചലകങ്ങൾ എന്താണെന്ന് മനസ്സിലാക്കാൻ ആദ്യം എന്തുകൊണ്ടാണ് ചില വസ്തുക്കള് ചലകങ്ങളും  മറ്റുചിലത്ത് ഇൻസുലേറ്റർ ആകുന്നതും  മനസ്സിലാക്കണം
ഈ ഗ്രാഫിന്റെ ഉയരം ഓരോ ഇലക്ട്രോണിന്റെയും ഊർജത്തെ  പ്രതിനിധീകരിക്കുന്നു.
ഒരു മെറ്റീരിയലിനുള്ളിൽ, ചില ഊർജ്ജ നിലകൾ അനുവദനീയമാണ്, അതേസമയം മറ്റ് ഊർജ്ജ നിലകൾ നിരോധിച്ചിരിക്കുന്നു.
ഈ ഗ്രാഫിൽ, മുകളിലും താഴെയുമുള്ള ഊർജ്ജ നിലകളിൽ ഇലക്ട്രോണുകൾ അനുവദനീയമാണ്, എന്നാൽ ഇതിനിടയിൽ നിരോധിത ഊർജ്ജ നിലകളുടെ വലിയ വിടവ് ഉണ്ട്
ഈ ഉദാഹരണത്തിൽ,  അനുവദനീയമായ മുകളിലെ ഊർജ്ജനിലകൾ  ഭാഗികമായി നിറഞ്ഞിരിക്കുന്നു
ഇത് ഇലക്ട്രോണുകള്ക്ക്  ചുറ്റും നീങ്ങാൻ വഴി നല്കുന്നു

Modern Greek (1453-): 
Αρκετές χιλιάδες χρόνια από τώρα, η ανακάλυψη των ημιαγωγών μπορεί να θεωρηθεί ως μία από τις πιο σημαδιακές στιγμές της ιστορίας.
Προκειμένου να κατανοήσουμε τους ημιαγωγούς, πρέπει πρώτα να καταλάβουμε τι κάνει μερικά υλικά αγωγούς και άλλα μονωτές.
Το ύψος αυτού του σχεδιαγράμματος αντιπροσωπεύει την ενέργεια κάθε ηλεκτρονίου.
Μέσα σε ένα υλικό, επιτρέπονται μόνο ορισμένα ενεργειακά επίπεδα για τα ηλεκτρόνια, ενώ άλλα απαγορεύονται.
Σε αυτό το σχεδιάγραμμα τα ηλεκτρόνια επιτρέπεται να καταλάβουν θέση στα ενεργειακά επίπεδα ψηλά και χαμηλά, αλλά υπάρχει ένα μεγάλο χάσμα μεταξύ των επιπέδων που είναι απαγορευμένο.
Σε αυτό το παράδειγμα, η επάνω ζώνη είναι μόνο μερικώς κατειλημμένη.
Αυτό δίνει στα ηλεκτρόνια χώρο για να κινηθούν (και να άγουν το ρεύμα).

Hindi: 
अब से कई हज़ार साल बाद, अर्धचालकों की खोज को इतिहास के महान सीमांकन लाइनों में से एक के रूप में देखा जा सकता है।
अर्धचालकों को समझने के लिए, हमें पहले यह समझने की आवश्यकता है कि कुछ सामग्री कंडक्टर, और अन्य सामग्री इन्सुलेटर क्या बनाती है।
इस ग्राफ की ऊंचाई प्रत्येक इलेक्ट्रॉन की ऊर्जा का प्रतिनिधित्व करती है।
एक सामग्री के अंदर, कुछ ऊर्जा स्तरों की अनुमति होती है, जबकि अन्य ऊर्जा स्तर निषिद्ध होते हैं।
इस ग्राफ में, इलेक्ट्रॉनों को ऊपर और नीचे ऊर्जा स्तरों में अनुमति दी जाती है, लेकिन बीच में निषिद्ध ऊर्जा स्तरों का एक बड़ा अंतर है।
इस उदाहरण में, स्वीकार्य ऊर्जा स्तरों का शीर्ष बैंड आंशिक रूप से भरा हुआ है।
यह इलेक्ट्रॉनों के कमरे को चारों ओर जाने के लिए देता है।

Italian: 
Parecchie migliaia di anni fa, la scoperta dei semiconduttori sarebbe stata vista come una delle grandi linee di demarcazione della storia.
Per capire i semiconduttori, noi abbiamo bisogno di capire prima cosa rende conduttori certi materiali, e cosa invece ne rende altri isolanti.
L'altezza di questo grafico rappresenta l'energia di ciascun elettrone.
Dentro il materiale, dei livelli di energia sono consentiti, mentre altri livelli di energia sono preclusi.
In questo grafico, gli elettroni sono ammessi ai livelli energetici più elevati e a quelli più in basso, ma c'è un gap largo di energia preclusa ai livelli che si trovano tra i due.
In questo esempio, la banda più in alto di livelli di energia ammissibile è parzialmente piena.
Ciò dà agli elettroni spazio per muoversi.

Telugu: 
ఇప్పటి నుండి అనేక వేల సంవత్సరాల నుండి, సెమీకండక్టర్స్ యొక్క ఆవిష్కరణ చరిత్ర యొక్క గొప్ప సరిహద్దు రేఖలలో ఒకటిగా చూడవచ్చు.
సెమీకండక్టర్లను అర్థం చేసుకోవడానికి, మొదట కొన్ని పదార్థాల కండక్టర్లను మరియు ఇతర పదార్థాల అవాహకాలను ఏమి చేయాలో అర్థం చేసుకోవాలి.
ఈ గ్రాఫ్ యొక్క ఎత్తు ప్రతి ఎలక్ట్రాన్ యొక్క శక్తిని సూచిస్తుంది.
ఒక పదార్థం లోపల, కొన్ని శక్తి స్థాయిలు అనుమతించబడతాయి, ఇతర శక్తి స్థాయిలు నిషేధించబడ్డాయి.
ఈ గ్రాఫ్‌లో, ఎగువ మరియు దిగువన ఉన్న శక్తి స్థాయిలలో ఎలక్ట్రాన్లు అనుమతించబడతాయి, అయితే ఈ మధ్య నిషేధించబడిన శక్తి స్థాయిల యొక్క పెద్ద అంతరం ఉంది.
ఈ ఉదాహరణలో, అనుమతించదగిన శక్తి స్థాయిల యొక్క టాప్ బ్యాండ్ పాక్షికంగా నిండి ఉంది.
ఇది ఎలక్ట్రాన్ల గది చుట్టూ తిరగడానికి ఇస్తుంది.

Serbian: 
Неколико хиљада година од сада, откриће полупроводника можда буде виђено као једна од тачака прекретница у људској историји.
Да би смо разумели полупроводнике, морамо прво разумети шта чини неке материјале проводницима, а друге изолаторима.
Висина на овом графику представља енергију сваког електрона.
Унутар материјала, неки енергетски нивои су дозвољени, док су други нивои забрањени.
На овом графику, електрони су дозвољени у горњем и доњем нивоу, али постоји велики процеп забрањених енергетских нивоа између њих.
У овом примеру, горњи слој дозвољених енергетских нивоа је делимично попуњен.
То даје електронима простора да се 
слободно крећу

Spanish: 
Varios miles de años a partir de ahora, el descubrimiento de los semiconductores puede verse como una de las grandes líneas de demarcación de la historia.
Para comprender los semiconductores, primero debemos entender qué hace que algunos materiales sean conductores y otros aislantes.
La altura de este gráfico representa la energía de cada electrón.
Dentro de un material, se permiten algunos niveles de energía, mientras que otros niveles de energía están prohibidos.
En este gráfico, se permiten electrones en los niveles de energía de la parte superior e inferior, pero hay un gran espacio de niveles de energía prohibidos en el medio.
En este ejemplo, la banda superior de niveles de energía permitidos está parcialmente llena.
Esto le da a los electrones espacio para moverse.

Vietnamese: 
Vài nghìn năm nữa, việc phát hiện ra chất bán dẫn có thể được xem là một trong những đường ranh giới vĩ đại của lịch sử.
Để hiểu chất bán dẫn, trước tiên chúng ta cần hiểu điều gì tạo nên một số vật liệu dẫn điện và vật liệu cách điện khác.
Chiều cao của đồ thị này biểu thị năng lượng của mỗi electron.
Bên trong vật liệu, một số mức năng lượng được phép, trong khi các mức năng lượng khác bị cấm.
Trong biểu đồ này, các điện tử được phép ở trong các mức năng lượng ở trên cùng và ở dưới cùng, nhưng có một khoảng cách lớn về mức năng lượng bị cấm ở giữa.
Trong ví dụ này, dải trên cùng của mức năng lượng cho phép đã đầy một phần.
Điều này cho phép các electron có chỗ để di chuyển xung quanh.

Turkish: 
Sonuç olarak, bu malzeme bir elektrik iletkeni örneğidir.
Bu diğer örnekte, alt enerji bandı tamamen dolu ve üst enerji bandı tamamen boş.
Burada elektronların hareket edebileceği yer yoktur.
Sonuç olarak, bu malzeme bir elektrik yalıtkanına örnektir.
Şimdi, izin verilen enerji seviyeleri arasındaki boşluğun çok daha küçük olduğu bir malzememiz olduğunu varsayalım.
Bu malzemeye yarı iletken diyoruz.

Kannada: 
ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಈ ವಸ್ತುವು ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹಕದ ಉದಾಹರಣೆಯಾಗಿದೆ.
ಈ ಇತರ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ, ಕೆಳಗಿನ ಎನರ್ಜಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ತುಂಬಿದೆ ಮತ್ತು ಉನ್ನತ ಶಕ್ತಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಖಾಲಿಯಾಗಿದೆ.
ಇಲ್ಲಿ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳಿಗೆ ತಿರುಗಾಡಲು ಸ್ಥಳವಿಲ್ಲ.
ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಈ ವಸ್ತುವು ವಿದ್ಯುತ್ ಅವಾಹಕದ ಉದಾಹರಣೆಯಾಗಿದೆ.
ಈಗ ನಮ್ಮಲ್ಲಿ ಒಂದು ವಸ್ತು ಇದೆ ಎಂದು ಭಾವಿಸೋಣ ಅಲ್ಲಿ ಅನುಮತಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯ ಮಟ್ಟಗಳ ನಡುವಿನ ಅಂತರವು ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ.
ನಾವು ಈ ವಸ್ತುವನ್ನು ಅರೆವಾಹಕ ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತೇವೆ.

Hindi: 
नतीजतन, यह सामग्री एक विद्युत कंडक्टर का एक उदाहरण है।
इस अन्य उदाहरण में, निचला ऊर्जा बैंड पूरी तरह से भरा हुआ है और शीर्ष ऊर्जा बैंड पूरी तरह से खाली है।
यहां, इलेक्ट्रॉनों के पास घूमने के लिए कोई जगह नहीं है।
नतीजतन, यह सामग्री एक विद्युत इन्सुलेटर का एक उदाहरण है।
अब मान लें कि हमारे पास एक ऐसी सामग्री है जहाँ स्वीकार्य ऊर्जा स्तरों के बीच का अंतर बहुत छोटा है।
हम इस सामग्री को एक अर्धचालक कहते हैं।

Serbian: 
Као резултат тога, овај материјал је пример електричног проводника.
У овом дгугом примеру, доњи енергетски нивои су потпуно попуњени, а горњи потпуно празни.
Овде, електрони немају простора да се слободно крећу.
Као резултат, овај материјал је пример електричног изолатора.
Сада, претпоставимо да имамо материјал чији је процеп између дозвољених енергетских нивоа доста мањи.
Овај материјал зовемо полупроводник.

Modern Greek (1453-): 
Ως αποτέλεσμα, αυτό το υλικό είναι παράδειγμα ενός ηλεκτρικού αγωγού.
Σε αυτό το άλλο παράδειγμα, η κάτω ενεργειακή ζώνη είναι τελείως γεμάτη και η επάνω ενεργειακή ζώνη είναι τελείως κενή.
Εδώ, τα ηλεκτρόνια δεν έχουν κανένα περιθώριο να κινηθούν.
Ως αποτέλεσμα, αυτό το υλικό είναι παράδειγμα ηλεκτρικού μονωτή.
Τώρα υποθέστε ότι έχουμε ένα υλικό στο οποίο το χάσμα μεταξύ των επιτρεπτών επιπέδων ενέργειας είναι πολύ μικρότερο.
Ονομάζουμε αυτό το υλικό ως ημιαγωγό.

Arabic: 
ونتيجة لذلك ، تعد هذه المادة مثالًا لموصل كهربائي.
في هذا المثال الآخر ، يكون نطاق الطاقة السفلي ممتلئًا تمامًا والنطاق العلوي فارغ تمامًا.
هنا ، ليس لدى الإلكترونات مساحة للتحرك.
ونتيجة لذلك ، تعد هذه المادة مثالًا على عازل كهربائي.
لنفترض الآن أن لدينا مادة حيث تكون الفجوة بين مستويات الطاقة المسموح بها أصغر بكثير.
نسمي هذه المادة أشباه الموصلات.

English: 
As a result, this material is an example of an electrical conductor.
In this other example, the bottom energy band is completely full and the top energy band is completely empty.
Here, the electrons have no room to move around.
As a result, this material is an example of an electrical insulator.
Now suppose we have a material where the gap between allowable energy levels is much smaller.
We call this material a semiconductor.

Italian: 
Come conseguenza, questo materiale è un esempio di conduttore elettrico.
In questo altro esempio, la banda di energia che si trova al livello più basso è completamente piena e la banda di energia al livello più alto è completamente vuota.
Qui, gli elettroni non hanno modo di muoversi.
Come conseguenza, questo materiale è un esempio di isolante elettrico.
Ora si supponga di avere un materiale dove il gap tra i livelli di energia ammissibile è molto più piccolo.
Si definisce questo materiale un semi-conduttore.

Portuguese: 
Como resultado, este material é um exemplo de um condutor elétrico.
Neste outro exemplo, a banda de energia inferior está completamente cheia e a banda de energia superior está completamente vazia.
Aqui, os elétrons não têm espaço para se movimentar.
Como resultado, este material é um exemplo de isolador elétrico.
Agora, suponha que tenhamos um material em que a diferença entre os níveis de energia permitidos seja muito menor.
Chamamos esse material de semicondutor.

Russian: 
В результате этот материал является примером электрического проводника.
В этом другом примере нижняя энергетическая зона полностью заполнена, а верхняя энергетическая зона полностью пуста.
Здесь электронам негде двигаться.
В результате этот материал является примером электрического изолятора.
Теперь предположим, что у нас есть материал, в котором разрыв между допустимыми уровнями энергии намного меньше.
Мы называем этот материал полупроводником.

Indonesian: 
Akibatnya, bahan ini adalah contoh dari konduktor listrik.
Dalam contoh lain ini, pita energi bawah sepenuhnya penuh dan pita energi atas benar-benar kosong.
Di sini, elektron tidak memiliki ruang untuk bergerak.
Akibatnya, bahan ini merupakan contoh isolator listrik.
Sekarang anggaplah kita memiliki bahan di mana kesenjangan antara tingkat energi yang diijinkan jauh lebih kecil.
Kami menyebut materi ini sebagai semikonduktor.

Persian: 
در نتیجه، به چنین ماده ای رسانای الکتریسیته میگویند.
در مثالی دیگر، مقادیر انرژی پایین صفحه کاملا پر و مقادیر انرژی بالای صفحه کاملا خالی هستند.
در اینجا، الکترون ها هیچ فضای خالی برای حرکت آزادانه ندارند.
در نتیجه، این ماده یک عایق جریان الکتریسیته را میسازد.
اکنون فرض کنید، ماده ای داریم که فضای خالی بین مقادیر انرژی مجاز آن، بسیار کوچک است.
ما به چنین ماده ای نیمه رسانا میگوییم.

Japanese: 
その結果、この物質は導電体の一例です
この例では、下部のエネルギー帯は完全にいっぱいで、上部のエネルギー帯は完全に空です
ここでは、電子は移動の余地がありません
その結果、この物質は電気絶縁体の一例です
さて、許容帯間のギャップがもっと狭い物質があるとします
この物質を半導体と呼びます

Telugu: 
ఫలితంగా, ఈ పదార్థం విద్యుత్ కండక్టర్‌కు ఉదాహరణ.
ఈ ఇతర ఉదాహరణలో, దిగువ ఎనర్జీ బ్యాండ్ పూర్తిగా నిండి ఉంది మరియు టాప్ ఎనర్జీ బ్యాండ్ పూర్తిగా ఖాళీగా ఉంది.
ఇక్కడ, ఎలక్ట్రాన్ల చుట్టూ తిరగడానికి స్థలం లేదు.
ఫలితంగా, ఈ పదార్థం విద్యుత్ అవాహకం యొక్క ఉదాహరణ.
అనుమతించదగిన శక్తి స్థాయిల మధ్య అంతరం చాలా తక్కువగా ఉన్న ఒక పదార్థం ఇప్పుడు మన వద్ద ఉందని అనుకుందాం.
మేము ఈ పదార్థాన్ని సెమీకండక్టర్ అని పిలుస్తాము.

Vietnamese: 
Kết quả là, vật liệu này là một ví dụ về chất dẫn điện.
Trong ví dụ khác này, dải năng lượng dưới cùng hoàn toàn đầy và dải năng lượng trên cùng hoàn toàn trống.
Ở đây, các electron không có chỗ để di chuyển xung quanh.
Kết quả là, vật liệu này là một ví dụ về chất cách điện.
Bây giờ, giả sử chúng ta có một vật liệu mà khoảng cách giữa các mức năng lượng cho phép nhỏ hơn nhiều.
Chúng tôi gọi vật liệu này là chất bán dẫn.

Spanish: 
Como resultado, este material es un ejemplo de un conductor eléctrico.
En este otro ejemplo, la banda de energía inferior esta completamente lleno y la superior totalmente vacía.
Acá los electrones no tienen espacio para moverse.
Como resultado, este material es un ejemplo de un aislante eléctrico.
Ahora supongamos que tenemos un material donde el espacio entre los niveles de energía permitidos es mucho mas pequeño.
Llamaremos a este material un semiconductor.

Malayalam: 
തലഫലമായി , ഇത്  ഒരു വൈദ്യുത ചലകവസ്തുവിനുള്ള ഉദാഹണമായി.
ഇനി മറ്റൊരു ഉദാഹരണത്തിൽ, ചുവടെയുള്ള ഊർജനില പൂർണ്ണമായും നിറഞ്ഞിരിക്കുന്നു കൂടാതെ മുകളിലെ ഊർജനില  പൂർണ്ണമായും ശൂന്യമാണ്.
ഇവിടെ, ഇലക്ട്രോണുകൾക്ക് ചുറ്റിക്കറങ്ങാൻ ഇടമില്ല
തൽഫലമായി, ഈ വസ്തു ഒരു വൈദ്യുത ഇൻസുലേറ്ററിന്റെ ഉദാഹരണമാണ്
ഈ നിമിഷം നമുക്ക് അനുവദനീയമായ ഊർജ്ജ നിലകൾ തമ്മിലുള്ള ദൂരം വളരെ ചെറുതായ ഒരു വസ്തു  നമുക്കുണ്ടെന്ന് കരുതുക
നാം ഈ വസ്തുവിനെ അർദ്ധചാലകം എന്ന് വിളിക്കുന്നു

Spanish: 
Como resultado, este material es un ejemplo de un conductor eléctrico.
En este otro ejemplo, la banda de energía inferior está completamente llena y la banda de energía superior está completamente vacía.
Aquí, los electrones no tienen espacio para moverse.
Como resultado, este material es un ejemplo de un aislante eléctrico.
Ahora supongamos que tenemos un material donde el espacio entre los niveles de energía permitidos es mucho más pequeño.
Llamamos a este material un semiconductor.

Spanish: 
Vamos a mostrar una fila para la banda de energía superior y una fila para la banda de energía inferior.
En un semiconductor, ese espacio es lo suficientemente pequeño como para que las vibraciones térmicas permitan que un electrón salte a veces de la banda de energía más baja a la banda de energía más alta.
El electrón en la banda de energía más alta ahora está libre para moverse.
Este electrón deja un hueco en la banda de energía inferior,
y la ubicación del hueco también es libre para moverse.
Cuando el electrón en la parte superior y el hueco en la parte inferior se encuentran,
el electrón vuelve a caer al nivel de energía más bajo.
El semiconductor en este ejemplo no es muy buen conductor de corriente eléctrica.

English: 
Let’s just show one row for the top energy band, and one row for the bottom energy band.
In a semiconductor, the gap is small enough for the thermal vibrations to allow an electron to sometimes jump from the lower energy band to the higher energy band.
The electron in the higher energy band is now free to move around.
This electron leaves behind a hole in the bottom energy band,
and the location of the hole is also free to move around.
When the electron at the top and the hole at the bottom find each other,
the electron falls back down to the lower energy level.
The semiconductor in this example is not a very good conductor of electric current.

Indonesian: 
Mari kita tunjukkan satu baris untuk pita energi atas, dan satu baris untuk pita energi bawah.
Dalam semikonduktor, celahnya cukup kecil untuk getaran termal sehingga memungkinkan elektron untuk kadang-kadang melompat dari pita energi rendah ke pita energi lebih tinggi.
Elektron dalam pita energi yang lebih tinggi sekarang bebas untuk bergerak.
Elektron ini meninggalkan lubang di pita energi bawah,
dan lokasi lubang juga bebas bergerak.
Ketika elektron di bagian atas dan lubang di bagian bawah saling menemukan,
elektron jatuh kembali ke tingkat energi yang lebih rendah.
Semikonduktor dalam contoh ini bukan konduktor arus listrik yang sangat baik.

Kannada: 
ಟಾಪ್ ಎನರ್ಜಿ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ಗೆ ಒಂದು ಸಾಲು ಮತ್ತು ಕೆಳಗಿನ ಎನರ್ಜಿ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ಗೆ ಒಂದು ಸಾಲು ತೋರಿಸೋಣ.
ಅರೆವಾಹಕದಲ್ಲಿ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ನಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ಗೆ ನೆಗೆಯುವುದನ್ನು ಅನುಮತಿಸಲು ಉಷ್ಣ ಕಂಪನಗಳಿಗೆ ಅಂತರವು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ.
ಹೆಚ್ಚಿನ ಎನರ್ಜಿ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ನಲ್ಲಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಈಗ ತಿರುಗಾಡಲು ಮುಕ್ತವಾಗಿದೆ.
ಈ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕೆಳಗಿನ ಎನರ್ಜಿ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ನ ರಂಧ್ರದ ಹಿಂದೆ ಬಿಡುತ್ತದೆ,
ಮತ್ತು ರಂಧ್ರದ ಸ್ಥಳವು ತಿರುಗಾಡಲು ಉಚಿತವಾಗಿದೆ.
ಮೇಲ್ಭಾಗದಲ್ಲಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಕೆಳಭಾಗದಲ್ಲಿರುವ ರಂಧ್ರ ಪರಸ್ಪರ ಕಂಡುಕೊಂಡಾಗ,
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತೆ ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯ ಮಟ್ಟಕ್ಕೆ ಬೀಳುತ್ತದೆ.
ಈ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿರುವ ಅರೆವಾಹಕವು ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹದ ಉತ್ತಮ ವಾಹಕವಲ್ಲ.

Arabic: 
دعنا فقط نعرض صفًا واحدًا لنطاق الطاقة العلوي ، وصفاً واحدًا لنطاق الطاقة السفلي.
في أشباه الموصلات ، تكون الفجوة صغيرة بما يكفي للاهتزازات الحرارية للسماح للإلكترون بالقفز أحيانًا من نطاق الطاقة المنخفض إلى نطاق الطاقة الأعلى.
الإلكترون في نطاق الطاقة الأعلى حر الآن في التحرك.
يترك هذا الإلكترون خلف فتحة في نطاق الطاقة السفلي ،
وموقع الحفرة أيضًا يتحرك بحرية.
عندما يجد الإلكترون في الأعلى والثقب في الأسفل بعضهما البعض ،
يعود الإلكترون إلى مستوى الطاقة الأدنى.
أشباه الموصلات في هذا المثال ليست موصلة جيدة جدًا للتيار الكهربائي.

Vietnamese: 
Hãy chỉ hiển thị một hàng cho dải năng lượng trên cùng và một hàng cho dải năng lượng dưới cùng.
Trong chất bán dẫn, khe hở đủ nhỏ để dao động nhiệt cho phép đôi khi một electron nhảy từ vùng năng lượng thấp hơn sang vùng năng lượng cao hơn.
Electron trong dải năng lượng cao hơn bây giờ tự do chuyển động xung quanh.
Điện tử này để lại một lỗ trống trong dải năng lượng dưới cùng,
và vị trí của lỗ cũng tự do di chuyển xung quanh.
Khi êlectron ở đỉnh và lỗ trống ở đáy tìm thấy nhau,
electron rơi trở lại mức năng lượng thấp hơn.
Chất bán dẫn trong ví dụ này không phải là chất dẫn điện tốt.

Italian: 
Mostriamo ora una riga per la banda di energia per il livello più alto, ed una riga per la banda di energia al livello più basso.
In un semiconduttore, il gap è abbastanza piccolo perché le vibrazioni termiche permettano ad un elettrone di saltare qualche volta dalla banda di livello cui compete un livello di energia più basso ad una cui ne compete uno più alto.
L'elettrone nella banda a più alta energia è ora libera di muoversi.
Questo elettrone lascia dietro una lacuna alla banda di energia inferiore,
ed anche la posizione della lacuna è libera di muoversi.
Quando l'elettrone che sta al livello più alto e la lacuna al livello più basso si incontrano,
l'elettrone cade sul più basso livello energetico.
Il semiconduttore in questo esempio non è un più un conduttore molto adatto a far circolare corrente elettrica.

Modern Greek (1453-): 
Ας κρατήσουμε μόνο μία σειρά για την πάνω ενεργειακή ζώνη και μία σειρά για την κάτω ενεργειακή ζώνη.
Σε ένα ημιαγωγό, το χάσμα είναι αρκετά μικρό ώστε μερικές φορές οι θερμικές δονήσεις να επιτρέπουν σε ένα ηλεκτρόνιο να πηδάει από την κάτω ενεργειακή ζώνη στην πάνω.
Το ηλεκτρόνιο στην πάνω ενεργειακή ζώνη είναι πλέον ελεύθερο να κινηθεί.
Αυτό το ηλεκτρόνιο αφήνει πίσω του μια οπή στην κάτω ενεργειακή ζώνη,
και η αυτή η οπή είναι επίσης ελεύθερη να μετακινηθεί.
Όταν το ηλεκτρόνιο στην πάνω ζώνη και η οπή στην κάτω συναντηθούν μεταξύ τους,
το ηλεκτρόνιο πέφτει ξανά στο κάτω ενεργειακό επίπεδο.
Ο ημιαγωγός σε αυτό το παράδειγμα δεν είναι πολύ καλός αγωγός ηλεκτρικού ρεύματος.

Serbian: 
Хајде да прикажемо један ред горњег енергетског слоја и један ред доњег.
У полупроводнику, процеп је довољно мали да термичке вибрације могу да изазову да електрон скочи из нижег енергетског нивоа у виши.
Електрон у вишој енергетској зони сада може слободно да се креће.
Овај електрон оставља за собом рупу у доњој енергетској зони,
и локације рупе такође може слободно да се креће.
Када електрон на врху и рупа да дну нађу једно друго,
електрон пада назад у нижи енергетски ниво.
Полупроводник у овом примеру није добар проводник електричне струје.

Persian: 
اکنون بیایید تنها یک ردیف از هر مقدار انرژی را نگهداریم تا شکل ساده تر شود
در یک نیمه رسانا، فضای خالی بین مقادیر مجاز انرژی، آنقدر کوچک است که گاهی
حرارت حاصل از لرزش اتم ها، میتواند انرژی لازم برای پرتاب الکترون به لایه ی بالا را محیا کند.
اکنون الکترون در لایه بالایی کاملا آزادانه میتواند حرکت کند.
این الکترون، پس از پرتاب به لایه بالایی، یک حفره خالی در لایه پایینی باقی میگذارد.
این حفره خالی نیز در لایه پایینی مدام در حال جابجایی و انتقال خواهد بود.
به محض اینکه، الکترون در لایه بالایی و حفره در لایه پایینی در یک ردیف قرار میگیرند، مجدد به هم ملحق میشوند.
الکترون به لایه پایینی بازمیگردد
این نیمه رسانای نشان داده شده در این تصویر چندان رسانای خوبی برای الکتریسیته نیست.

Russian: 
Давайте просто покажем один ряд для верхней энергетической зоны и один ряд для нижней энергетической зоны.
В полупроводнике зазор достаточно мал, чтобы тепловые колебания позволяли электрону иногда перепрыгивать из нижней энергетической зоны в более высокую энергетическую зону.
Электрон в более высокой энергетической зоне теперь может свободно перемещаться.
Этот электрон оставляет дыру в нижней энергетической зоне,
и расположение дыры также может свободно перемещаться.
Когда электрон наверху и дыра внизу находят друг друга,
электрон падает обратно на нижний энергетический уровень.
Полупроводник в этом примере не очень хороший проводник электрического тока.

Telugu: 
టాప్ ఎనర్జీ బ్యాండ్ కోసం ఒక వరుసను మరియు దిగువ ఎనర్జీ బ్యాండ్ కోసం ఒక వరుసను చూపిద్దాం.
సెమీకండక్టర్‌లో, ఎలక్ట్రాన్ కొన్నిసార్లు తక్కువ ఎనర్జీ బ్యాండ్ నుండి అధిక ఎనర్జీ బ్యాండ్‌కు దూకడానికి అనుమతించే ఉష్ణ కంపనాలకు అంతరం చిన్నది.
అధిక శక్తి బ్యాండ్‌లోని ఎలక్ట్రాన్ ఇప్పుడు చుట్టూ తిరగడానికి ఉచితం.
ఈ ఎలక్ట్రాన్ దిగువ శక్తి బ్యాండ్‌లోని రంధ్రం వెనుక వదిలివేస్తుంది,
మరియు రంధ్రం యొక్క స్థానం కూడా తిరగడానికి ఉచితం.
ఎగువన ఎలక్ట్రాన్ మరియు దిగువన ఉన్న రంధ్రం ఒకదానికొకటి కనుగొన్నప్పుడు,
ఎలక్ట్రాన్ తక్కువ శక్తి స్థాయికి తిరిగి వస్తుంది.
ఈ ఉదాహరణలోని సెమీకండక్టర్ విద్యుత్ ప్రవాహం యొక్క మంచి కండక్టర్ కాదు.

Malayalam: 
സാങ്കല്പികമായി ഉയർന്ന ഊർജനില ഒരു വരിയും, ചുവടെയുള്ള ഊർജനില ഒരു വരിയും കാണിക്കാം
ഒരു അർദ്ധചാലകത്തിൽ, ഇലക്ട്രോണുകള്ക്ക് താഴ്ന്ന ഊർജനിലയിൽ നിന്നും ഉയർന്ന ഊർജനിലയിലേക്ക് കുതിച്ചുയരാൻ ആവശ്യമായ താപ കമ്പനം ഉണ്ടാവാൻ ഈ ചെറിയ വിടവ് മതി.
ഉയർന്ന ഊർജനിലയിൽ ഉള്ള ഇലക്ട്രോൺ ഇപ്പോൾ  ചുറ്റും ചലിക്കാൻ സ്വതന്ത്രമായി.
ഈ ഇലക്ട്രോൺ താഴ്ന്ന ഊർജ നിലയ്ക്ക്  ഒരു ദ്വാരം പിന്നിൽ ഉപേക്ഷിക്കുന്നു,
കൂടാതെ ദ്വാരത്തിന്റെ സ്ഥാനവും സ്വതന്ത്രമായി സഞ്ചരിക്കുന്നു.
മുകളിലുള്ള ഇലക്ട്രോണും ചുവടെയുള്ള ദ്വാരവും പരസ്പരം കണ്ടുമുട്ടുമ്പോൾ ,
ഇലക്ട്രോൺ താഴെയുള്ള ഊർജ നിലയിലേക്ക് തിരിച്ചു വരും
ഈ ഉദാഹരത്തിലുള്ള  അർദ്ധചാലകം വൈദ്യുത പ്രവാഹത്തിന്റെ നല്ലൊരു ചാലകമല്ല .

Portuguese: 
Vamos apenas mostrar uma linha para a banda de energia superior e uma linha para a banda de energia inferior.
Em um semicondutor, a diferença é pequena o suficiente para que as vibrações térmicas permitam que um elétron salte da faixa de energia mais baixa para a faixa de energia mais alta.
O elétron na faixa de energia mais alta agora está livre para se movimentar.
Esse elétron deixa para trás um buraco na banda de energia inferior,
e a localização do buraco também é livre para se movimentar.
Quando o elétron no topo e o buraco no fundo se encontram,
o elétron volta ao nível mais baixo de energia.
O semicondutor neste exemplo não é um condutor muito bom de corrente elétrica.

Japanese: 
上のエネルギー帯の 1並びと、下のエネルギー帯の 1並びを表示しましょう
半導体では、ギャップは十分に小さく熱振動によって電子が時々低エネルギー帯から高エネルギー帯にジャンプします
電子は高いエネルギー帯で今や自由に動き回れます
電子は下部のエネルギーバンドにホール（正孔）を残します
ホールの位置も自由に移動できます
上の電子と下のホールがお互いを見つけると
電子はより低いエネルギーレベルにフォールバックします
この例の半導体は、優れた導体とはなっていません

Hindi: 
चलो शीर्ष ऊर्जा बैंड के लिए बस एक पंक्ति दिखाते हैं, और नीचे ऊर्जा बैंड के लिए एक पंक्ति।
सेमीकंडक्टर में, थर्मल कंपन के लिए अंतराल काफी छोटा होता है ताकि इलेक्ट्रॉन कभी-कभी कम ऊर्जा बैंड से उच्च ऊर्जा बैंड तक कूद सकें।
उच्च ऊर्जा बैंड में इलेक्ट्रॉन अब घूमने के लिए स्वतंत्र है।
यह इलेक्ट्रॉन नीचे के ऊर्जा बैंड में एक छेद के पीछे छोड़ देता है,
और छेद का स्थान भी घूमने के लिए स्वतंत्र है।
जब सबसे ऊपर इलेक्ट्रॉन और सबसे नीचे छेद एक-दूसरे को ढूंढते हैं,
इलेक्ट्रॉन वापस नीचे ऊर्जा स्तर तक गिर जाता है।
इस उदाहरण में अर्धचालक विद्युत प्रवाह का बहुत अच्छा कंडक्टर नहीं है।

Turkish: 
En üst enerji bandı için bir sıra ve alt enerji bandı için bir sıra gösterelim.
Yarı iletkenlerde boşluk, termal titreşimlerin bir elektronun bazen alt enerji bandından daha yüksek enerji bandına atlamasına izin verecek kadar küçüktür.
Yüksek enerji bandındaki elektron artık hareket etmekte serbesttir.
Bu elektron, alt enerji bandındaki bir deliğin arkasında kalıyor,
deliğin yeri de hareket etmekte serbesttir.
Üstteki elektron ve alttaki delik birbirini bulduğunda,
elektron daha düşük enerji seviyesine düşer.
Bu örnekteki yarı iletken, çok iyi bir elektrik akımı iletkeni değildir.

Spanish: 
Ahora mostraremos una fila de el nivel superior de energía y otra fila del nivel inferior.
En un semiconductor, el espacio es lo suficientemente pequeño como para que las vibraciones térmicas permitan que un electrón salte a veces de la banda de energía más baja a la banda de energía más alta.
El electrón en la banda de energía más alta ahora es libre de moverse.
Este electrón deja un agujero en la banda de energía inferior,
y la ubicación del hoyo también es libre de moverse.
Cuando el electrón en la parte superior y el agujero en la parte inferior se encuentran,
el electrón vuelve a caer al nivel de energía más bajo.
El semiconductor en este ejemplo no es un muy buen conductor de corriente eléctrica.

Portuguese: 
Podemos mudar isso adicionando impurezas ao semicondutor.
Por exemplo, podemos adicionar impurezas que criam níveis extras de energia disponíveis perto da faixa de energia inferior.
Isso permite que os elétrons na banda de energia inferior pulem facilmente para esses novos níveis, deixando para trás buracos que podem se mover.
Agora, este material pode facilmente conduzir corrente elétrica.
Cada esfera azul representa um elétron carregado negativamente e cada esfera vermelha representa o próton carregado positivamente associado.
O número total de prótons e elétrons no material é exatamente igual,
e, portanto, o material contém uma quantidade igual de carga elétrica positiva e negativa.

Turkish: 
Yarı iletkene safsızlıklar ekleyerek bunu değiştirebiliriz.
Örneğin, alt enerji bandının yakınında ekstra kullanılabilir enerji seviyeleri yaratan safsızlıklar ekleyebiliriz.
Bu, alt enerji bandındaki elektronların bu yeni seviyelere kolayca atlamasını sağlar, böylece hareket edebilecek delikler bırakır.
Bu malzeme artık kolayca elektrik akımı iletebilir.
Her mavi küre negatif yüklü bir elektronu temsil eder ve her kırmızı küre ilişkili pozitif yüklü protonu temsil eder.
Malzemedeki toplam proton ve elektron sayısı tam olarak eşittir,
ve dolayısıyla malzeme eşit miktarda pozitif ve negatif elektrik yükü içerir.

Modern Greek (1453-): 
Αυτό μπορούμε να το αλλάξουμε προσθέτοντας προσμείξεις στον ημιαγωγό.
Για παράδειγμα, μπορούμε να προσθέσουμε προσμείξεις που δημιουργούν επιπλέον διαθέσιμα επίπεδα ενέργειας κοντά στην κάτω ενεργειακή ζώνη.
Αυτό επιτρέπει στα ηλεκτρόνια στην κάτω ενεργειακή ζώνη να μεταπηδήσουν εύκολα σε αυτά τα νέα επίπεδα, αφήνοντας έτσι πίσω τους οπές που μπορούν να κινηθούν.
Αυτό το υλικό μπορεί τώρα να άγει το ηλεκτρικό ρεύμα εύκολα.
Κάθε μπλε σφαίρα αντιπροσωπεύει ένα αρνητικά φορτισμένο ηλεκτρόνιο και κάθε κόκκινη σφαίρα αντιπροσωπεύει το αντίστοιχο του θετικά φορτισμένο πρωτόνιο.
Ο συνολικός αριθμός πρωτονίων και ηλεκτρονίων στο υλικό είναι ακριβώς ίσος,
και συνεπώς το υλικό έχει ίση ποσότητα θετικού και αρνητικού ηλεκτρικού φορτίου.

Malayalam: 
അർദ്ധചാലകത്തിലേക്ക് മാലിന്യങ്ങൾ ചേർത്ത് നമുക്ക് ഇത് മാറ്റാൻ കഴിയും
ഉദാഹരണത്തിന്, നമുക്ക് മാലിന്യങ്ങൾ ചേർത്ത് താഴ്ന്ന ഊർജനിലയിൽ  ഊർജത്തിന്റെ  അളവ് കൂട്ടാൻ സാധിക്കും.
ചുവടെയുള്ള ഊർജനിലയിലേക്ക്  ഇലക്ട്രോണുകളെ ഈ പുതിയ തലങ്ങളിലേക്ക് എളുപ്പത്തിൽ ചാടാൻ ഇത് അനുവദിക്കുന്നു, അതുവഴി ചുറ്റും സഞ്ചരിക്കാൻ കഴിയുന്ന ദ്വാരങ്ങൾ അവശേഷിക്കുന്നു.
ഈ പദാർ ത്തത്തിന്  ഇപ്പോൾ എളുപ്പത്തിൽ വൈദ്യുത പ്രവാഹം നടത്താൻ കഴിയും.
ഓരോ നീല ഗോളവും നെഗറ്റീവ് ചാർജ്ജ് ചെയ്ത ഇലക്ട്രോണിനെ പ്രതിനിധീകരിക്കുന്നു, കൂടാതെ ഓരോ ചുവന്ന ഗോളവും പോസിറ്റീവ് ചാർജ്ജ് ചെയ്ത പ്രോട്ടോണിനെ പ്രതിനിധീകരിക്കുന്നു.
പദാർത്തത്തിലെ മൊത്തം പ്രോട്ടോണുകളുടെയും ഇലെക്ട്രോണുകളുടെയും എണ്ണം തുല്യമാണ്.
കൂടാതെ പദാർത്തത്തിൽ അടങ്ങിയ പോസിറ്റീവും നെഗെറ്റിവും ഊർജം അളവ് തുല്യമാണ്.

Italian: 
Si può cambiare ciò aggiungendo impurità al semiconduttore.
Per esempio, noi possiamo aggiungere impurità che creano dei livelli extra di energia disponibile vicino alla ultima banda di energia.
Ciò permette agli elettroni nella ultima banda di energia di saltare facilmente a questi nuovi livelli, di fatto lasciandosi lacune alle spalle che possono muoversi.
Questo materiale può adesso facilmente condurre corrente elettrica.
Ogni sfera blu rappresenta una elettrone caricato negativamente ed ogni sfera rossa rappresenta il protone caricato positivamente ad esso associato.
Il numero totale di protoni ed elettroni nel materiale è esattamente lo stesso,
e il materiale contiene quindi una uguale quantità di carica elettrica positiva e negativa.

Hindi: 
हम इसे अर्धचालक में अशुद्धियों को जोड़कर बदल सकते हैं।
उदाहरण के लिए, हम अशुद्धियों को जोड़ सकते हैं जो निचले ऊर्जा बैंड के पास अतिरिक्त उपलब्ध ऊर्जा स्तर बनाते हैं।
यह नीचे के ऊर्जा बैंड में इलेक्ट्रॉनों को आसानी से इन नए स्तरों पर कूदने की अनुमति देता है, जिससे छेद पीछे रह जाते हैं जो चारों ओर घूम सकते हैं।
यह सामग्री अब आसानी से विद्युत प्रवाह का संचालन कर सकती है।
प्रत्येक नीला क्षेत्र एक नकारात्मक रूप से आवेशित इलेक्ट्रॉन का प्रतिनिधित्व करता है और प्रत्येक लाल गोला संबंधित धनात्मक आवेशित प्रोटॉन का प्रतिनिधित्व करता है।
सामग्री में प्रोटॉन और इलेक्ट्रॉनों की कुल संख्या बिल्कुल बराबर है,
और सामग्री में इसलिए समान मात्रा में धनात्मक और ऋणात्मक विद्युत आवेश होते हैं।

Japanese: 
半導体に不純物を添加することでこれを変えられます
たとえば、下部のエネルギー帯の近くに可能なエネルギーレベルを加える不純物を追加できます
これにより、下部のエネルギー帯の電子が新しいレベルに簡単にジャンプできるようになり、移動可能なホールが残ります
この物質は簡単に電流を流せます
それぞれの青い球は負に帯電した電子を表し、赤い球は関連する正に帯電した陽子を表します
物質内の陽子と電子の総数は正確に等しく
したがって、物質には正と負の電荷が同量含まれます

Vietnamese: 
Chúng ta có thể thay đổi điều này bằng cách thêm tạp chất vào chất bán dẫn.
Ví dụ, chúng ta có thể thêm các tạp chất tạo ra các mức năng lượng sẵn có bổ sung gần dải năng lượng dưới cùng.
Điều này cho phép các electron ở vùng năng lượng đáy dễ dàng nhảy lên các mức mới này, do đó để lại các lỗ trống có thể di chuyển xung quanh.
Vật liệu này bây giờ có thể dễ dàng dẫn dòng điện.
Mỗi quả cầu màu xanh đại diện cho một electron mang điện tích âm và mỗi quả cầu màu đỏ đại diện cho một proton tích điện dương liên kết.
Tổng số proton và electron trong vật liệu hoàn toàn bằng nhau,
và vật liệu do đó chứa một lượng điện tích âm và dương bằng nhau.

English: 
We can change this by adding impurities to the semiconductor.
For example, we can add impurities which create extra available energy levels near the bottom energy band.
This allows the electrons in the bottom energy band to easily jump to these new levels, thereby leaving behind holes that can move around.
This material can now easily conduct electric current.
Each blue sphere represents a negatively charged electron and each red sphere represents the associated positively charged proton.
The total number of protons and electrons in the material are exactly equal,
and the material therefore contains an equal amount of positive and negative electric charge.

Serbian: 
Ово можемо променити додавањем примеса полупроводнику.
На пример, можемо додати примесе које стварау додатне доступне енергетске нивое близу доње енергетске зоне.
Ово омогућава да електрони из доње енергетске зоне лако скоче у ове нове енергетске нивое, остављајући иза себе рупе које могу да се крећу.
Овај материјал сада може добро да проводи електричну струју.
Свака плава сфера представља негативно наелектрисан електрон, а свака црвена сфера представља придружени позитивно наелектрисан протон.
Укупан број протона и електрона у материјалу је потпуно једнак,
тако да материјал садржи једнаку количину позитивног и негативног наелектрисања.

Russian: 
Мы можем изменить это, добавив примеси в полупроводник.
Например, мы можем добавить примеси, которые создают дополнительные доступные уровни энергии около нижней энергетической зоны.
Это позволяет электронам в нижней энергетической зоне легко переходить на эти новые уровни, оставляя тем самым дыры, которые могут перемещаться.
Этот материал теперь может легко проводить электрический ток.
Каждая синяя сфера представляет отрицательно заряженный электрон, и каждая красная сфера представляет связанный положительно заряженный протон.
Общее количество протонов и электронов в материале точно равно,
и поэтому материал содержит одинаковое количество положительного и отрицательного электрического заряда.

Spanish: 
Puede cambiarse esto agregando impurezas al semiconductor.
Por ejemplo, se pueden agregar impurezas que creen niveles de energía adicionales disponibles cerca de la banda de energía inferior.
Esto permite que los electrones en la banda de energía inferior salten fácilmente a estos nuevos niveles, dejando así huecos que puedan moverse.
Este material ahora puede conducir fácilmente la corriente eléctrica.
Cada esfera azul representa un electrón cargado negativamente y cada esfera roja representa el protón asociado cargado positivamente.
El número total de protones y electrones en el material es exactamente igual,
y el material contiene por lo tanto una cantidad igual de carga eléctrica positiva y negativa.

Persian: 
ما با افزودن ناخالصی به نیمه رسانا میتوانیم این شرایط را تغییر دهیم
به طور مثال، ما میتوانیم با افزودن برخی ناخالصی های خاص، یکسری مقادیر مجاز انرژی چدید
در بالای لایه پایینی ایجاد کنیم
این کار باعث میشود تا الکترونهای لایه پایینی به سادگی وارد این لایه ی جدید شوند
در نتیجه حفره ای باقی میماند که در لایه پایینی مدام جابه جا میشود.
این مواد اکنون به سادگی جریان الکتریسیته را هدایت میکنند
در این تصویر هر گوی آبی رنگ نماینده یک الکترون با بار منفی است
و هر گوی قرمز رنگ نماینده یک پروتون با بار مثبت است
مجموع تعداد الکترونها و پروتونها در هر ماده دقیقا برابر است
در نتیجه هر ماده همواره مقادیر مساوی از بار های مثبت و منفی را در خود دارد.

Telugu: 
సెమీకండక్టర్‌కు మలినాలను జోడించడం ద్వారా మనం దీన్ని మార్చవచ్చు.
ఉదాహరణకు, దిగువ శక్తి బ్యాండ్ దగ్గర అందుబాటులో ఉన్న అదనపు శక్తి స్థాయిలను సృష్టించే మలినాలను మనం జోడించవచ్చు.
ఇది దిగువ ఎనర్జీ బ్యాండ్‌లోని ఎలక్ట్రాన్‌లను ఈ కొత్త స్థాయిలకు సులభంగా దూకడానికి అనుమతిస్తుంది, తద్వారా చుట్టూ తిరిగే రంధ్రాలను వదిలివేస్తుంది.
ఈ పదార్థం ఇప్పుడు సులభంగా విద్యుత్ ప్రవాహాన్ని నిర్వహించగలదు.
ప్రతి నీలం గోళం ప్రతికూలంగా చార్జ్ చేయబడిన ఎలక్ట్రాన్‌ను సూచిస్తుంది మరియు ప్రతి ఎరుపు గోళం అనుబంధంగా చార్జ్ చేయబడిన ప్రోటాన్‌ను సూచిస్తుంది.
పదార్థంలోని మొత్తం ప్రోటాన్లు మరియు ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్య ఖచ్చితంగా సమానంగా ఉంటుంది,
అందువల్ల పదార్థం సానుకూల మరియు ప్రతికూల విద్యుత్ చార్జ్ యొక్క సమాన మొత్తాన్ని కలిగి ఉంటుంది.

Indonesian: 
Kami dapat mengubah ini dengan menambahkan kotoran ke semikonduktor.
Sebagai contoh, kita dapat menambahkan kotoran yang menciptakan tingkat energi ekstra yang tersedia di dekat pita energi bawah.
Hal ini memungkinkan elektron dalam pita energi bawah untuk dengan mudah melompat ke level baru ini, sehingga meninggalkan lubang yang dapat bergerak.
Bahan ini sekarang dapat dengan mudah menghantarkan arus listrik.
Setiap bola biru mewakili elektron yang bermuatan negatif dan setiap bola merah mewakili proton yang bermuatan positif terkait.
Jumlah total proton dan elektron dalam materi persis sama,
dan karena itu bahan mengandung jumlah muatan listrik positif dan negatif yang sama.

Spanish: 
Podemos cambiar esto agregando impurezas al semiconductor.
Por ejemplo, podemos agregar impurezas que crean niveles de energía adicionales disponibles cerca de la banda de energía inferior.
Esto permite que los electrones en la banda de energía inferior salten fácilmente a estos nuevos niveles, dejando así agujeros que pueden moverse.
Este material ahora puede conducir fácilmente corriente eléctrica.
Cada esfera azul representa un electrón cargado negativamente y cada esfera roja representa el protón cargado positivamente asociado.
El número total de protones y electrones en el material es exactamente igual,
y el material por lo tanto contiene una cantidad igual de carga eléctrica positiva y negativa.

Arabic: 
يمكننا تغيير هذا بإضافة شوائب إلى أشباه الموصلات.
على سبيل المثال ، يمكننا إضافة الشوائب التي تخلق مستويات طاقة إضافية متاحة بالقرب من نطاق الطاقة السفلي.
هذا يسمح للإلكترونات في نطاق الطاقة السفلي بالقفز بسهولة إلى هذه المستويات الجديدة ، وبالتالي ترك وراءها ثقوب يمكن أن تتحرك.
يمكن لهذه المواد الآن إجراء التيار الكهربائي بسهولة.
يمثل كل كرة زرقاء إلكترونًا مشحونًا بشكل سلبي وكل كرة حمراء تمثل البروتون الموجب الشحنة الموجب.
العدد الإجمالي للبروتونات والإلكترونات في المادة متساوي تمامًا ،
وبالتالي فإن المادة تحتوي على كمية متساوية من الشحنة الكهربائية الموجبة والسالبة.

Kannada: 
ಅರೆವಾಹಕಕ್ಕೆ ಕಲ್ಮಶಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸುವ ಮೂಲಕ ನಾವು ಇದನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಬಹುದು.
ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಕೆಳಗಿನ ಎನರ್ಜಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಬಳಿ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಲಭ್ಯವಿರುವ ಶಕ್ತಿಯ ಮಟ್ಟವನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುವ ಕಲ್ಮಶಗಳನ್ನು ನಾವು ಸೇರಿಸಬಹುದು.
ಇದು ಕೆಳಭಾಗದ ಎನರ್ಜಿ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ನಲ್ಲಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳನ್ನು ಸುಲಭವಾಗಿ ಈ ಹೊಸ ಮಟ್ಟಗಳಿಗೆ ನೆಗೆಯುವುದನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಚಲಿಸುವ ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ಬಿಡಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಈ ವಸ್ತುವು ಈಗ ಸುಲಭವಾಗಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಡೆಸಬಲ್ಲದು.
ಪ್ರತಿಯೊಂದು ನೀಲಿ ಗೋಳವು charged ಣಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಅನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿ ಕೆಂಪು ಗೋಳವು ಸಂಬಂಧಿತ ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ ಪ್ರೋಟಾನ್ ಅನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುತ್ತದೆ.
ವಸ್ತುವಿನ ಒಟ್ಟು ಪ್ರೋಟಾನ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ನಿಖರವಾಗಿ ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ,
ಆದ್ದರಿಂದ ವಸ್ತುವು ಸಮಾನ ಪ್ರಮಾಣದ ಧನಾತ್ಮಕ ಮತ್ತು negative ಣಾತ್ಮಕ ವಿದ್ಯುತ್ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ.

Spanish: 
Las ubicaciones que muestran una esfera roja sin una esfera azul pueden considerarse como un "agujero" con una carga positiva.
Como se puede pensar que los agujeros con una carga "positiva" se mueven, llamamos a esto un material "tipo P".
Llamamos a este otro ejemplo un material de "Tipo N".
La altura del gráfico solo representa la energía de los electrones, no la energía de los protones.
Cada protón se mostró junto a su electrón asociado solo para dejar en claro que el número total de protones y electrones en el material son exactamente iguales,

English: 
The locations showing a red sphere without a blue sphere can be thought of as a "hole" with a positive charge.
Since it is the holes with a "Positive" charge that can be thought of as moving around, we call this a "P-Type" material.
We call this other example an "N-Type" material.
The height of the graph only represents the energy of the electrons, not the energy of the protons.
Each proton was shown next to its associated electron just to make it clear that the total number of protons and electrons in the material are exactly equal,

Japanese: 
青い球のない赤い球の場所は、正電荷を持つ「ホール」と考えることができます
「正（Positive）」の電荷を持つホールが　動き回ると考えられるので、これを「P型」材料と呼びます
この例を「N型」材料と呼びます
グラフの高さが示すのは電子のエネルギーであって、陽子のエネルギーではありません
各陽子を関連する電子の隣に示したのは、物質内の陽子と電子の数が等しいこと

Italian: 
Le posizioni che mostrano una sfera rossa senza una sfera blu possono essere pensate come lacune senza una carica positiva.
Poiché si può pensare si muovano soltanto lacune di carica positiva, si definisce questo un materiale di tipo P.
Si definisce un altro esempio di materiale di tipo N.
L'altezza del grafico rappresenta solo l'energia degli elettroni, non l'energia dei protoni.
Ogni protone è stato mostrato vicino all'elettrone ad esso associato appositamente per rendere chiaro che il numero totale di protoni ed elettroni nel materiale sono esattamente uguali,

Malayalam: 
നീല ഗോളമില്ലാത്ത ചുവന്ന ഗോളത്തെ കാണിക്കുന്ന സ്ഥാനങ്ങൾ പോസിറ്റീവ് ചാർജുള്ള "ദ്വാരം" ആയി കണക്കാക്കാം.
"പോസിറ്റീവ്" ചാർജുള്ള ദ്വാരങ്ങളായതിനാൽ ഇത് ചലിക്കുന്നതായി കരുതാം, 
 ഇതിനെ "P-ടൈപ്പ്" മെറ്റീരിയൽ എന്ന് വിളിക്കുന്നു.
ഈ മറ്റൊരു ഉദാഹരണത്തെ  "N -ടൈപ്പ്" മെറ്റീരിയൽ എന്ന് വിളിക്കുന്നു.
ഗ്രാഫിന്റെ ഉയരം ഇലക്ട്രോണുകളുടെ ഊർജ്ജത്തെ മാത്രമേ പ്രതിനിധീകരിക്കുന്നുള്ളൂ, പ്രോട്ടോണുകളുടെ ഊർജത്തെയല്ല.
പദാർത്തത്തിന്റെ മൊത്തം പ്രോട്ടോണുകളുടെയും ഇലക്ട്രോണുകളുടെയും എണ്ണം കൃത്യമായി തുല്യമാണെന്ന് വ്യക്തമാക്കുന്നതിനായി ഓരോ പ്രോട്ടോണും അതിന്റെ അനുബന്ധ ഇലക്ട്രോണിന് അടുത്തായി കാണിച്ചു,

Kannada: 
ನೀಲಿ ಗೋಳವಿಲ್ಲದ ಕೆಂಪು ಗೋಳವನ್ನು ತೋರಿಸುವ ಸ್ಥಳಗಳನ್ನು ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದೊಂದಿಗೆ "ರಂಧ್ರ" ಎಂದು ಭಾವಿಸಬಹುದು.
ಇದು "ಸಕಾರಾತ್ಮಕ" ಚಾರ್ಜ್ ಹೊಂದಿರುವ ರಂಧ್ರಗಳಾಗಿರುವುದರಿಂದ ಅದನ್ನು ಚಲಿಸುವಂತೆ ಭಾವಿಸಬಹುದು, ನಾವು ಇದನ್ನು "ಪಿ-ಟೈಪ್" ವಸ್ತು ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತೇವೆ.
ನಾವು ಈ ಇತರ ಉದಾಹರಣೆಯನ್ನು "ಎನ್-ಟೈಪ್" ವಸ್ತು ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತೇವೆ.
ಗ್ರಾಫ್ನ ಎತ್ತರವು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಮಾತ್ರ ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಪ್ರೋಟಾನ್‌ಗಳ ಶಕ್ತಿಯಲ್ಲ.
ವಸ್ತುವಿನ ಒಟ್ಟು ಪ್ರೋಟಾನ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು ನಿಖರವಾಗಿ ಸಮಾನವಾಗಿವೆ ಎಂಬುದನ್ನು ಸ್ಪಷ್ಟಪಡಿಸಲು ಪ್ರತಿಯೊಂದು ಪ್ರೋಟಾನ್‌ನ್ನು ಅದರ ಸಂಯೋಜಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ನ ಪಕ್ಕದಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ.

Spanish: 
Las ubicaciones que muestran una esfera roja sin una esfera azul pueden considerarse como un "hueco" con una carga positiva.
Como se puede pensar que los huecos con una carga "positiva" se mueven, llamamos a esto un material "tipo P".
Llamamos a este otro ejemplo un material "Tipo N".
La altura del gráfico sólo representa la energía de los electrones, no la energía de los protones.
Cada protón se mostró junto a su electrón asociado sólo para dejar en claro que el número total de protones y electrones en el material son exactamente iguales,

Portuguese: 
Os locais que mostram uma esfera vermelha sem uma esfera azul podem ser vistos como um "buraco" com uma carga positiva.
Como são os orifícios com uma carga "positiva" que podem ser vistos como se movendo, chamamos isso de material "tipo P".
Chamamos esse outro exemplo de material "N-Type".
A altura do gráfico representa apenas a energia dos elétrons, não a energia dos prótons.
Cada próton foi mostrado ao lado do elétron associado apenas para deixar claro que o número total de prótons e elétrons no material é exatamente igual,

Hindi: 
नीले रंग के गोले के बिना लाल क्षेत्र दिखाने वाले स्थानों को एक सकारात्मक चार्ज के साथ "छेद" के रूप में सोचा जा सकता है।
चूँकि यह एक "पॉजिटिव" चार्ज वाला छेद होता है जिसके बारे में सोचा जा सकता है कि हम इसे "पी-टाइप" सामग्री कहते हैं।
हम इस दूसरे उदाहरण को "एन-टाइप" सामग्री कहते हैं।
ग्राफ की ऊंचाई केवल इलेक्ट्रॉनों की ऊर्जा को दर्शाती है, न कि प्रोटॉन की ऊर्जा को।
प्रत्येक प्रोटॉन को उसके संबद्ध इलेक्ट्रॉन के बगल में दिखाया गया था ताकि यह स्पष्ट हो सके कि सामग्री में प्रोटॉन और इलेक्ट्रॉनों की कुल संख्या बिल्कुल बराबर है,

Turkish: 
Mavi küre içermeyen kırmızı küre gösteren yerler pozitif yüklü bir "delik" olarak düşünülebilir.
Etrafında hareket ettiği düşünülebilecek "Pozitif" yüke sahip delikler olduğu için buna "P-Tipi" malzeme diyoruz.
Bu diğer örneği "N-Tipi" malzeme olarak adlandırıyoruz.
Grafiğin yüksekliği, protonların enerjisini değil, yalnızca elektronların enerjisini temsil eder.
Her proton, materyaldeki toplam proton ve elektron sayısının tam olarak eşit olduğunu açıklığa kavuşturmak için ilişkili elektronun yanında gösterildi,

Telugu: 
నీలం గోళం లేకుండా ఎరుపు గోళాన్ని చూపించే స్థానాలను సానుకూల చార్జ్‌తో "రంధ్రం" గా భావించవచ్చు.
ఇది "పాజిటివ్" ఛార్జ్ ఉన్న రంధ్రాలు కాబట్టి, ఇది చుట్టూ కదులుతున్నట్లు భావించవచ్చు, మేము దీనిని "పి-టైప్" పదార్థం అని పిలుస్తాము.
మేము ఈ ఇతర ఉదాహరణను "N- రకం" పదార్థం అని పిలుస్తాము.
గ్రాఫ్ యొక్క ఎత్తు ఎలక్ట్రాన్ల శక్తిని మాత్రమే సూచిస్తుంది, ప్రోటాన్ల శక్తి కాదు.
పదార్థంలోని మొత్తం ప్రోటాన్లు మరియు ఎలక్ట్రాన్ల సంఖ్య సరిగ్గా సమానమని స్పష్టం చేయడానికి ప్రతి ప్రోటాన్ దాని అనుబంధ ఎలక్ట్రాన్ పక్కన చూపబడింది,

Persian: 
مکانی که یک گوی قرمز تنها است، مکانی است که به آن حفره با بار مثبت میگوییم.
از آنجایی که در این ماده حفره هایی با بار مثبت عامل جریان الکتریسیته هستند
مه به این نوع نیمه رسانا، نوع P میگوییم
و به این نیمه رسانا، نوع N میگوییم
در این تصویر ارتفاع، تنها نشان دهنده انرژی الکترونهاست و ارتباطی به انرژی پروتون ها ندارد.
هر پروتون در اینجا در کنار یک الکترون نشان داده شده است تا تعداد مساوی آنها با هم آشکار باشد.

Indonesian: 
Lokasi yang menunjukkan bulatan merah tanpa bulatan biru dapat dianggap sebagai "lubang" dengan muatan positif.
Karena lubang dengan muatan "Positif" yang dapat dianggap bergerak di sekitar, kami menyebutnya bahan "Tipe-P".
Kami menyebut contoh lain ini bahan "Tipe-N".
Ketinggian grafik hanya mewakili energi elektron, bukan energi proton.
Setiap proton ditunjukkan di sebelah elektron yang terkait hanya untuk memperjelas bahwa jumlah total proton dan elektron dalam materi persis sama,

Serbian: 
Места на којима су приказане црвене сфере без плавих сфера се могу посматрати као "рупе" са позитивним наелектрисањем.
С обзиром на то да су "Позитивно" наелектрисане рупе те које можемо посматрати као да се крећу, ово зовемо полупроводник "P-типа".
Овај други пример зовемо полупроводник "N-типа".
Висина на графику представља само енергију електрона, а не енергију протона.
Сваки протон је приказан поред свог придруженог електрона само да би било јасно да је укупан број протона и електрона потпуно једнак

Vietnamese: 
Các vị trí hiển thị hình cầu màu đỏ mà không có hình cầu màu xanh có thể được coi là một "lỗ trống" mang điện tích dương.
Vì các lỗ có điện tích "Dương" có thể được coi là chuyển động xung quanh, chúng tôi gọi đây là vật liệu "Loại P".
Chúng tôi gọi ví dụ khác này là vật liệu "Loại N".
Chiều cao của đồ thị chỉ biểu diễn năng lượng của các electron, không phải năng lượng của các proton.
Mỗi proton được hiển thị bên cạnh electron liên kết của nó chỉ để làm rõ rằng tổng số proton và electron trong vật liệu là hoàn toàn bằng nhau,

Russian: 
Места с красной сферой без синей сферы можно рассматривать как «дыру» с положительным зарядом.
Поскольку это дыры с «положительным» зарядом, которые можно рассматривать как движущиеся, мы называем это материалом «P-типа».
Мы называем этот другой пример материалом "N-типа".
Высота графика представляет только энергию электронов, а не энергию протонов.
Каждый протон был показан рядом со связанным с ним электроном, чтобы было ясно, что общее количество протонов и электронов в материале точно равно,

Modern Greek (1453-): 
Οι θέσεις που εμφανίζουν μια κόκκινη σφαίρα χωρίς μπλε σφαίρα μπορούν να θεωρηθούν ως μια "οπή" με θετική φόρτιση.
Δεδομένου ότι θεωρούμε πως οι οπές με "θετικό φορτίο" (Positive -> P) είναι αυτές που κινούνται, ο ημιαγωγός καλείται τύπου "P".
Ονομάζουμε αυτό το άλλο παράδειγμα ημιαγωγό τύπου "Ν".
Το ύψος του σχεδιαγράμματος αντιπροσωπεύει μόνο την ενέργεια των ηλεκτρονίων, όχι την ενέργεια των πρωτονίων.
Κάθε πρωτόνιο εμφανίζεται δίπλα στο αντίστοιχό του ηλεκτρόνιο για να είναι φανερό πως ο συνολικός αριθμός πρωτονίων και ηλεκτρονίων στο υλικό είναι ακριβώς ίσοι,

Arabic: 
يمكن اعتبار المواقع التي تظهر كرة حمراء بدون كرة زرقاء على أنها "حفرة" ذات شحنة موجبة.
نظرًا لأن الثقوب ذات الشحنة "الإيجابية" التي يمكن اعتبارها متحركة ، فإننا نسميها مادة "من النوع P".
نسمي هذا المثال الآخر مادة "N-Type".
يمثل ارتفاع الرسم البياني فقط طاقة الإلكترونات ، وليس طاقة البروتونات.
تم عرض كل بروتون بجانب الإلكترون المرتبط به فقط لتوضيح أن إجمالي عدد البروتونات والإلكترونات في المادة متساوي تمامًا ،

Spanish: 
y que por lo tanto el material contiene una cantidad igual de carga eléctrica positiva y negativa.
Los electrones que son libres de moverse en la banda de energía superior tienen una carga "Negativa", por lo que llamamos a este un material de "tipo N".
Al igual que un material de tipo P, un material de tipo N también puede conducir fácilmente corriente eléctrica.
Ahora supongamos que se coloca un material de tipo N junto a un material de tipo P.
Los electrones del material tipo N migrarán hacia el material tipo P,
y los huecos del material tipo P migrarán hacía el material tipo N.
Los electrones en la banda de energía superior caerán en los huecos de la banda de energía inferior.

Turkish: 
ve dolayısıyla malzemenin eşit miktarda pozitif ve negatif elektrik yükü içermesi.
Üst enerji bandında serbestçe hareket edebilen elektronların "Negatif" yükü vardır, bu yüzden buna "N tipi" malzeme diyoruz.
Tıpkı P tipi bir malzeme gibi, N tipi bir malzeme de elektrik akımını kolayca iletebilir.
Şimdi N tipi bir malzemeyi P tipi bir malzemenin yanına yerleştirdiğimizi varsayalım.
N-tipi malzemeden elektronlar P-tipi malzemeye göç edecek,
ve P-tipi malzemeden delikler N-tipi malzemeye göç edecektir.
Üst enerji bandındaki elektronlar daha sonra alt enerji bandının deliklerine düşecektir.

Italian: 
e che il materiale contiene quindi una uguale quantità di carica elettrica positiva e negativa.
Gli elettroni che sono liberi di muoversi nella più alta banda di energia hanno una carica "negativa", che è ciò che si definisce un materiale di tipo N.
Proprio come un materiale di tipo P, un materiale di tipo N può facilmente condurre corrente elettrica.
Ora, si supponga di posizionare il materiale di tipo N vicino al materiale di tipo P.
Gli elettroni dal materiale di tipo N migreranno verso il materiale di tipo P,
e lacune dal materiale di tipo P migreranno nel materiale di tipo N.
Gli elettroni nella banda più alta di energia poi cadranno nelle lacune della ultima banda di energia.

Modern Greek (1453-): 
και συνεπώς το υλικό περιέχει έχει ίσο θετικό και αρνητικό φορτίο.
Τα ηλεκτρόνια τα οποία είναι ελεύθερα να κινηθούν στην πάνω ενεργειακή ζώνη έχουν  "αρνητικό φορτίο" (Negative -> N) , γι 'αυτό το αποκαλούμε τον ημιαγωγό τύπου "N".
Ακριβώς όπως ένα υλικό τύπου P, ένα υλικό τύπου Ν μπορεί επίσης εύκολα να άγει το ηλεκτρικό ρεύμα.
Υποθέστε τώρα ότι τοποθετούμε ένα υλικό τύπου Ν δίπλα σε ένα υλικό τύπου Ρ.
Τα ηλεκτρόνια από το υλικό τύπου Ν θα περάσουν στο υλικό τύπου Ρ,
και οι οπές από το υλικό τύπου Ρ θα περάσουν στο υλικό τύπου Ν.
Τα ηλεκτρόνια στην επάνω ενεργειακή ζώνη θα συναντηθούν με τις οπές και θα πέσουν στη συνέχεια στην κάτω ενεργειακή ζώνη.

Japanese: 
したがって、物質には正と負の電荷が同量含まれることを明確にするためです
上部のエネルギー帯内を自由に移動する電子が負（Negative）電荷を持つため、「N型」材料と呼びます
P型材料と同様、N型材料も電流を容易に伝導できます
ここで、N型材料を P型材料のとなりに配します
N型材料の電子は P型材料に移り
P型材料のホールは N型材料に移ります
上部のエネルギー帯の電子は、下部のエネルギー帯のホールに落ちます

English: 
and that the material therefore contains an equal amount of positive and negative electric charge.
The electrons which are free to move around in the top energy band have a "Negative" charge, which is why we call this an "N-type" material.
Just like a P-type material, an N-type material can also easily conduct electric current.
Now suppose that we place an N-type material next to a P-type material.
The electrons from the N-type material will migrate into the P-type material,
and holes from the P-type material will migrate into the N-type material.
The electrons in the top energy band will then fall down into the holes of the bottom energy band.

Arabic: 
وبالتالي فإن المادة تحتوي على كمية متساوية من الشحنة الكهربائية الموجبة والسالبة.
تمتلك الإلكترونات التي تتمتع بحرية الحركة في نطاق الطاقة الأعلى شحنة "سلبية" ، ولهذا السبب نسمي هذه المادة "من النوع N".
تمامًا مثل المواد من النوع P ، يمكن للمواد من النوع N أيضًا توصيل التيار الكهربائي بسهولة.
لنفترض الآن أننا نضع مادة من النوع N بجوار مادة من النوع P.
سوف تنتقل الإلكترونات من المواد من النوع N إلى المواد من النوع P ،
وستنتقل الثقوب من المواد من النوع P إلى المواد من النوع N.
ستسقط الإلكترونات الموجودة في نطاق الطاقة العلوي إلى فتحات نطاق الطاقة السفلي.

Hindi: 
और इसलिए सामग्री में समान मात्रा में धनात्मक और ऋणात्मक विद्युत आवेश होते हैं।
जो इलेक्ट्रॉन शीर्ष ऊर्जा बैंड में घूमने के लिए स्वतंत्र हैं, उनके पास "नकारात्मक" चार्ज है, यही वजह है कि हम इसे "एन-टाइप" सामग्री कहते हैं।
पी-प्रकार की सामग्री की तरह, एन-प्रकार की सामग्री भी आसानी से विद्युत प्रवाह का संचालन कर सकती है।
अब मान लीजिए कि हम P- प्रकार की सामग्री के बगल में एक N- प्रकार की सामग्री रखते हैं।
N- प्रकार की सामग्री से इलेक्ट्रॉन P- प्रकार की सामग्री में स्थानांतरित हो जाएंगे,
और पी-टाइप सामग्री से छेद एन-टाइप सामग्री में चले जाएंगे।
शीर्ष ऊर्जा बैंड में इलेक्ट्रॉनों तब नीचे ऊर्जा बैंड के छेद में गिर जाएगा।

Russian: 
и что материал, таким образом, содержит одинаковое количество положительного и отрицательного электрического заряда.
Электроны, которые могут свободно перемещаться в верхней энергетической зоне, имеют «отрицательный» заряд, поэтому мы называем это «материалом N-типа».
Как и материал типа P, материал типа N также может легко проводить электрический ток.
Теперь предположим, что мы помещаем материал N-типа рядом с материалом P-типа.
Электроны из материала N-типа будут мигрировать в материал P-типа,
и дыры из материала P-типа будут мигрировать в материал N-типа.
Электроны из верхней энергетической зоне будут падать в дыры нижней энергетической зоны.

Indonesian: 
dan karena itu bahan tersebut mengandung muatan listrik positif dan negatif dalam jumlah yang sama.
Elektron yang bebas bergerak di pita energi atas memiliki muatan "Negatif", itulah sebabnya kami menyebutnya bahan "tipe-N".
Sama seperti bahan tipe-P, bahan tipe-N juga dapat dengan mudah menghantarkan arus listrik.
Sekarang anggaplah kita menempatkan bahan tipe-N di sebelah bahan tipe-P.
Elektron dari material tipe-N akan bermigrasi ke material tipe-P,
dan lubang-lubang dari material tipe-P akan bermigrasi ke material tipe-N.
Elektron pada pita energi atas kemudian akan jatuh ke dalam lubang pita energi bawah.

Serbian: 
и да материјал стога садржи једнаку количину позитивног и негативног наелектрисања.
Електрони, који се слободно крећу у горњој енергетској зони, су "Негативно" наелектрисани. Зато ово зовемо материјал "N-типа".
Као и материјал P-типа, материјал N-типа је добар проводник електричне стрије.
Сада, претпоставимо да ставимо материјал N-типа поред материјала P-типа.
Електрони из N-слоја ће прећи у P-слој,
а рупе из P-слоја ће прећи у N-слој.
Електрони у горњој енергетској зони ће тада пасти у рупе у доњој енергетској зони.

Kannada: 
ಮತ್ತು ವಸ್ತುವು ಸಮಾನ ಪ್ರಮಾಣದ ಧನಾತ್ಮಕ ಮತ್ತು negative ಣಾತ್ಮಕ ವಿದ್ಯುತ್ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ.
ಉನ್ನತ ಶಕ್ತಿ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ನಲ್ಲಿ ತಿರುಗಾಡಲು ಮುಕ್ತವಾಗಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು "ನೆಗೆಟಿವ್" ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಅದಕ್ಕಾಗಿಯೇ ನಾವು ಇದನ್ನು "ಎನ್-ಟೈಪ್" ವಸ್ತು ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತೇವೆ.
ಪಿ-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುವಿನಂತೆಯೇ, ಎನ್-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುವು ಸುಲಭವಾಗಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಡೆಸುತ್ತದೆ.
ಈಗ ನಾವು ಪಿ-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುವಿನ ಪಕ್ಕದಲ್ಲಿ ಎನ್-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುವನ್ನು ಇಡುತ್ತೇವೆ ಎಂದು ಭಾವಿಸೋಣ.
ಎನ್-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುಗಳಿಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಪಿ-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುವಿಗೆ ವಲಸೆ ಹೋಗುತ್ತವೆ,
ಮತ್ತು ಪಿ-ಮಾದರಿಯ ವಸ್ತುಗಳಿಂದ ರಂಧ್ರಗಳು ಎನ್-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ವಲಸೆ ಹೋಗುತ್ತವೆ.
ಮೇಲಿನ ಎನರ್ಜಿ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ನಲ್ಲಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು ನಂತರ ಕೆಳಗಿನ ಎನರ್ಜಿ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ನ ರಂಧ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಬೀಳುತ್ತವೆ.

Persian: 
در نتیجه در این ماده، تعداد بارهای مثبت و منفی برابر هستند.
الکترون های با بار منفی که در لایه بالایی آزادانه در حال حرکت هستند، عامل هدایت
جریان الکتریسیته هستند، در نتیجه ما به این نوع نیمه رسانا، نوع N میگوییم.
دقیقا مشابه نوع P، نوع N نیز به سادگی جریان الکتریسیته را هدایت میکند.
اکنون فرض کنید که ما دو نوع P و N را در کنار همدیگر قرار دهیم
الکترونهای نوع N به سادگی به سمت نوع P حرکت میکنند
و حفره های مثبت باقی مانده در نوع P نیز به سادگی به سمت نوع N منتقل میشوند.
الکترونهای لایه بالایی نیز، هر بار که منطبق با حفره ای در لایه پایین میشوند، از بالا به پایین بازمیگردند.

Spanish: 
y que el material por lo tanto contiene una cantidad igual de carga eléctrica positiva y negativa.
Los electrones que pueden moverse libremente en la banda de energía superior tienen una carga "negativa", por lo que llamamos a esto un material de "tipo N".
Al igual que un material de tipo P, un material de tipo N también puede conducir fácilmente corriente eléctrica.
Ahora suponga que colocamos un material de tipo N junto a un material de tipo P.
Los electrones del material de tipo N migrarán al material de tipo P,
y los agujeros del material de tipo P migrarán al material de tipo N.
Los electrones en la banda de energía superior caerán en los agujeros de la banda de energía inferior.

Malayalam: 
അതിനാൽ പദാർത്തത്തിന്റെ പോസിറ്റീവ്, നെഗറ്റീവ് വൈദ്യുത ചാർജ് തുല്യ അളവിൽ അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു.
ഉയർന്ന ഊർജനിലയിൽ  സഞ്ചരിക്കാൻ സ്വാതന്ത്ര്യമുള്ള ഇലക്ട്രോണുകൾക്ക് "നെഗറ്റീവ്" ചാർജ് ഉണ്ട്, അതിനാലാണ് ഇതിനെ "N-ടൈപ്പ്" മെറ്റീരിയൽ എന്ന് വിളിക്കുന്നത്.
ഒരു P-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയൽ പോലെ, ഒരു N-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലിനും എളുപ്പത്തിൽ വൈദ്യുത പ്രവാഹം നടത്താൻ കഴിയും.
P-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലിനടുത്തായി  ഒരു N-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയൽ സ്ഥാപിക്കുന്നുവെന്ന് കരുതുക.
എൻ-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലിൽ നിന്നുള്ള ഇലക്ട്രോണുകൾ പി-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലിലേക്ക് സ്ഥാനം മാറ്റം ചെയ്യും,
പി-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലിൽ നിന്നുള്ള ദ്വാരങ്ങൾ എൻ-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലിലേക്ക് സ്ഥാനമറ്റം സംഭവിക്കും
മുകളിലെ  ഊർജനിലയിലെ ഇലക്ട്രോണുകൾ താഴെയുള്ള  ഊർജനിലയിലെ  ദ്വാരങ്ങളിൽ വീഴും.

Portuguese: 
e que o material contém, portanto, uma quantidade igual de carga elétrica positiva e negativa.
Os elétrons que são livres para se movimentar na faixa de energia superior têm uma carga "negativa", e é por isso que chamamos isso de material "tipo N".
Assim como um material do tipo P, um material do tipo N também pode facilmente conduzir corrente elétrica.
Agora, suponha que colocemos um material do tipo N próximo a um material do tipo P.
Os elétrons do material do tipo N migrarão para o material do tipo P,
e os orifícios do material do tipo P migrarão para o material do tipo N.
Os elétrons na banda de energia superior caem nos orifícios da banda de energia inferior.

Telugu: 
అందువల్ల పదార్థం సానుకూల మరియు ప్రతికూల విద్యుత్ చార్జ్ యొక్క సమాన మొత్తాన్ని కలిగి ఉంటుంది.
టాప్ ఎనర్జీ బ్యాండ్‌లో తిరగడానికి స్వేచ్ఛగా ఉండే ఎలక్ట్రాన్‌లకు "నెగటివ్" ఛార్జ్ ఉంటుంది, అందుకే దీనిని "ఎన్-టైప్" పదార్థం అని పిలుస్తాము.
పి-రకం పదార్థం వలె, ఎన్-రకం పదార్థం కూడా విద్యుత్ ప్రవాహాన్ని సులభంగా నిర్వహించగలదు.
ఇప్పుడు మనం P- రకం పదార్థం పక్కన N- రకం పదార్థాన్ని ఉంచాము.
N- రకం పదార్థం నుండి ఎలక్ట్రాన్లు P- రకం పదార్థంలోకి వలసపోతాయి,
మరియు P- రకం పదార్థం నుండి రంధ్రాలు N- రకం పదార్థంలోకి వలసపోతాయి.
టాప్ ఎనర్జీ బ్యాండ్‌లోని ఎలక్ట్రాన్లు అప్పుడు దిగువ ఎనర్జీ బ్యాండ్ యొక్క రంధ్రాలలోకి వస్తాయి.

Vietnamese: 
và do đó vật liệu chứa một lượng điện tích âm và dương bằng nhau.
Các electron tự do chuyển động xung quanh vùng năng lượng trên cùng có điện tích "Âm", đó là lý do tại sao chúng ta gọi đây là vật liệu "loại N".
Cũng giống như vật liệu loại P, vật liệu loại N cũng có thể dễ dàng dẫn dòng điện.
Bây giờ, giả sử rằng chúng ta đặt vật liệu loại N bên cạnh vật liệu loại P.
Các điện tử từ vật liệu loại N sẽ di chuyển vào vật liệu loại P,
và các lỗ từ vật liệu loại P sẽ di chuyển vào vật liệu loại N.
Khi đó các electron ở vùng năng lượng trên cùng sẽ rơi xuống các lỗ trống của vùng năng lượng dưới cùng.

English: 
This results in a region with a net positive charge in the N-type material, and a region with a net negative charge in the P-type material.
This creates an electric field preventing additional electrons and holes from crossing over.
This is represented by an energy difference between the two materials,
indicating that if the electrons try to go "uphill", they will feel an opposing force.

Japanese: 
これにより、正味の正電荷の領域が N型材料に、正味の負電荷の領域が P型材料にできます
これにより、電界が生まれ　電子とホールがそれ以上交差するのを防ぎます
これを、2つの材料間のエネルギー差によって表し
電子は「上り」に向かうと、反対の力を感じます

Spanish: 
Esto da como resultado una región con una carga positiva neta en el material de tipo N, y una región con una carga negativa neta en el material de tipo P.
Esto crea un campo eléctrico que evita que se crucen electrones y agujeros adicionales.
Esto está representado por una diferencia de energía entre los dos materiales,
indicando que si los electrones intentan ir "cuesta arriba", sentirán una fuerza opuesta.

Arabic: 
وينتج عن هذا منطقة ذات شحنة موجبة صافية في مادة النوع N ومنطقة ذات شحنة سالبة صافية في مادة النوع P.
وهذا يخلق مجالًا كهربائيًا يمنع إلكترونات وثقوب إضافية من العبور.
ويمثل هذا بفارق في الطاقة بين المادتين ،
مشيرين إلى أنه إذا حاولت الإلكترونات الصعود ، فسوف تشعر بقوة معارضة.

Vietnamese: 
Điều này dẫn đến một vùng có điện tích dương thuần trong vật liệu loại N và vùng có điện tích âm thuần trong vật liệu loại P.
Điều này tạo ra một điện trường ngăn các electron và lỗ trống vượt qua.
Điều này được thể hiện bằng sự chênh lệch năng lượng giữa hai vật liệu,
chỉ ra rằng nếu các electron cố gắng đi "lên dốc", chúng sẽ cảm thấy một lực đối nghịch.

Serbian: 
Резултат је позитивно наелектрисана област у материјалу N-типа, и негативно наелектрисана област у материјалу P-типа.
Ово ствара електрично поље које спречава електроне и рупе да прелазе на другу страну.
То је представљено енергетском разликом између два материјала,
што указује на то да ће на електроне, ако покушају да се крећу "узбрдо", деловати сила у супротном смеру.

Modern Greek (1453-): 
Αυτό έχει ως αποτέλεσμα να δημιουργηθεί μια περιοχή με καθαρά θετικό φορτίο στο υλικό τύπου Ν και μια περιοχή με καθαρά αρνητικό φορτίο στο υλικό τύπου Ρ.
Αυτό δημιουργεί ένα ηλεκτρικό πεδίο που εμποδίζει την διέλευση επιπλέον ηλεκτρονίων ή οπών.
Αυτό αντιπροσωπεύεται από μια ενεργειακή διαφορά μεταξύ των δύο υλικών,
υποδεικνύοντας ότι αν τα ηλεκτρόνια προσπαθήσουν να κινηθούν «ανηφορικά», θα αισθανθούν μια αντίθετη δύναμη.

Indonesian: 
Ini menghasilkan wilayah dengan muatan positif bersih di material tipe-N, dan wilayah dengan muatan negatif bersih di material tipe-P.
Ini menciptakan medan listrik yang mencegah elektron dan lubang tambahan melintas.
Ini diwakili oleh perbedaan energi antara kedua bahan,
menunjukkan bahwa jika elektron mencoba naik "menanjak", mereka akan merasakan gaya yang berlawanan.

Kannada: 
ಇದು ಎನ್-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುವಿನಲ್ಲಿ ನಿವ್ವಳ ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ಮತ್ತು ಪಿ-ಮಾದರಿಯ ವಸ್ತುವಿನಲ್ಲಿ ನಿವ್ವಳ negative ಣಾತ್ಮಕ ಆವೇಶವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಪ್ರದೇಶಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ.
ಇದು ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ದಾಟದಂತೆ ತಡೆಯುವ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ.
ಇದನ್ನು ಎರಡು ವಸ್ತುಗಳ ನಡುವಿನ ಶಕ್ತಿಯ ವ್ಯತ್ಯಾಸದಿಂದ ನಿರೂಪಿಸಲಾಗಿದೆ,
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು "ಹತ್ತುವಿಕೆ" ಗೆ ಹೋಗಲು ಪ್ರಯತ್ನಿಸಿದರೆ, ಅವರು ಎದುರಾಳಿ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಅನುಭವಿಸುತ್ತಾರೆ ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ.

Hindi: 
इसका परिणाम N- प्रकार की सामग्री में शुद्ध धनात्मक आवेश वाले क्षेत्र में होता है, और P-प्रकार की सामग्री में शुद्ध ऋणात्मक आवेश वाला क्षेत्र होता है।
यह एक विद्युत क्षेत्र बनाता है जो अतिरिक्त इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों को पार करने से रोकता है।
यह दो सामग्रियों के बीच एक ऊर्जा अंतर द्वारा दर्शाया गया है,
यह दर्शाता है कि यदि इलेक्ट्रॉन "ऊपर की ओर" जाने की कोशिश करते हैं, तो वे एक विरोधी बल महसूस करेंगे।

Russian: 
Это приводит к области с чистым положительным зарядом в материале N-типа и к области с чистым отрицательным зарядом в материале P-типа.
Это создает электрическое поле, предотвращающее пересечение дополнительных электронов и дырок.
Это представлено разностью энергий между двумя материалами,
указывая на то, что если электроны попытаются подняться, они почувствуют противоположную силу.

Persian: 
این امر باعث میشود تا یک منطقه کاملا مثبت در نوع N و یک منطقه کاملا منفی در نوع P بوجود بیاید
این مناطق منفی و مثبت، یک میدان الکتریکی بوجود می آورند که جلوی ادامه جریان الکترون ها و حفره ها را به سمت مقابل میگیرد.
این میدان الکتریکی، به صورت یک اختلاف انرژی در سطح انرژی لایه ها توصیف میگردد.
به طوری که اگر الکترون ها بخواهند از این اختلاف انرژی بالا بروند
یک نیروی بازدارنده در خلاف جهت مانع آنها میشود

Telugu: 
ఇది N- రకం పదార్థంలో నికర సానుకూల చార్జ్ ఉన్న ప్రాంతానికి మరియు P- రకం పదార్థంలో నికర ప్రతికూల చార్జ్ ఉన్న ప్రాంతానికి దారితీస్తుంది.
ఇది అదనపు ఎలక్ట్రాన్లు మరియు రంధ్రాలను దాటకుండా నిరోధించే విద్యుత్ క్షేత్రాన్ని సృష్టిస్తుంది.
ఇది రెండు పదార్థాల మధ్య శక్తి వ్యత్యాసం ద్వారా సూచించబడుతుంది,
ఎలక్ట్రాన్లు "ఎత్తుపైకి" వెళ్ళడానికి ప్రయత్నిస్తే, వారు వ్యతిరేక శక్తిని అనుభవిస్తారని సూచిస్తుంది.

Italian: 
Ciò risulta in una regione con una carica positiva netta nel materiale di tipo N, ed una regione con una carica netta negativa nel materiale di tipo P
Questo crea un campo elettrico che impedisce l'attraversamento di ulteriori elettroni e lacune.
Ciò è rappresentato da una differenza di energia tra i due terminali.
Indicando che se gli elettroni tentano di andare "in salita", sentiranno una forza che gli si oppone.

Malayalam: 
ഇത് N-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലിൽ  പോസിറ്റീവ് ചാർജ് ഉള്ള ഒരു പ്രദേശത്തിനും P-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലിൽ നെഗറ്റീവ് ചാർജ് ഉള്ള ഒരു പ്രദേശത്തിനും കാരണമാകുന്നു.
ഇത് ഒരു ഇലക്ട്രിക് ഫീൽഡ് സൃഷ്ടിക്കുന്നു, അധിക ഇലക്ട്രോണുകളും ദ്വാരങ്ങളും കടന്നുപോകുന്നത് തടയുന്നു.
ഇത് രണ്ട് വസ്തുക്കളും തമ്മിലുള്ള ഊർജ്ജ വ്യത്യാസത്തെ പ്രതിനിധീകരിക്കുന്നു,
ഇലക്ട്രോണുകൾ "മുകളിലേക്ക്" പോകാൻ ശ്രമിച്ചാൽ അവയ്ക്ക് ഒരു വിപരീത ശക്തി അനുഭവപ്പെടുമെന്ന് സൂചിപ്പിക്കുന്നു

Spanish: 
Esto da como resultado una región con una carga positiva neta en el material tipo N, y una región con una carga negativa neta en el material tipo P.
Esto crea un campo eléctrico que previene que sigan cruzando electrones y huecos adicionales.
Esto está representado por una diferencia de energía entre los dos materiales,
indicando que si los electrones intentan ir "cuesta arriba", sentirán una fuerza opuesta.

Portuguese: 
Isso resulta em uma região com uma carga líquida positiva no material do tipo N e uma região com uma carga líquida negativa no material do tipo P.
Isso cria um campo elétrico que impede a passagem de elétrons e orifícios adicionais.
Isso é representado por uma diferença de energia entre os dois materiais,
indicando que, se os elétrons tentarem "subir", eles sentirão uma força oposta.

Turkish: 
Bu, N tipi malzemede net pozitif yüke sahip bir bölge ve P tipi malzemede net negatif yüke sahip bir bölge ile sonuçlanır.
Bu, ek elektronların ve deliklerin üstünden geçmesini önleyen bir elektrik alanı oluşturur.
Bu, iki malzeme arasındaki enerji farkı ile temsil edilir,
eğer elektronlar "yokuş yukarı" gitmeye çalışırsa, karşıt bir kuvvet hissedeceklerini belirtir.

English: 
Suppose we apply an external voltage as shown.
This voltage increases the difference in the energy between the N-Type material and the P-type material,
making it even harder for electrons and holes to cross over.
In this situation, the device blocks the flow of current.
Now, suppose that we apply a voltage in the opposite direction.
This decreases the energy difference between the two sides, allowing some electrons and holes to cross over.

Hindi: 
मान लीजिए हम दिखाए गए अनुसार एक बाहरी वोल्टेज लागू करते हैं।
यह वोल्टेज एन-टाइप सामग्री और पी-टाइप सामग्री के बीच ऊर्जा में अंतर को बढ़ाता है,
इसे पार करने के लिए इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों के लिए और भी कठिन बनाना।
इस स्थिति में, डिवाइस वर्तमान के प्रवाह को अवरुद्ध करता है।
अब, मान लीजिए कि हम विपरीत दिशा में वोल्टेज लागू करते हैं।
इससे दोनों पक्षों के बीच ऊर्जा अंतर कम हो जाता है, जिससे कुछ इलेक्ट्रॉनों और छेदों को पार किया जा सकता है।

Vietnamese: 
Giả sử chúng ta đặt một hiệu điện thế bên ngoài như hình vẽ.
Điện áp này làm tăng sự khác biệt về năng lượng giữa vật liệu loại N và vật liệu loại P,
khiến cho các electron và lỗ trống càng khó đi qua hơn.
Trong tình huống này, thiết bị chặn dòng điện.
Bây giờ, giả sử rằng chúng ta đặt một điện áp theo hướng ngược lại.
Điều này làm giảm sự chênh lệch năng lượng giữa hai bên, cho phép một số điện tử và lỗ trống đi qua nhau.

Kannada: 
ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ನಾವು ಬಾಹ್ಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತೇವೆ ಎಂದು ಭಾವಿಸೋಣ.
ಈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎನ್-ಟೈಪ್ ವಸ್ತು ಮತ್ತು ಪಿ-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುಗಳ ನಡುವಿನ ಶಕ್ತಿಯ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ,
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ದಾಟಲು ಇನ್ನಷ್ಟು ಕಷ್ಟವಾಗುತ್ತದೆ.
ಈ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ, ಸಾಧನವು ಪ್ರವಾಹದ ಹರಿವನ್ನು ನಿರ್ಬಂಧಿಸುತ್ತದೆ.
ಈಗ, ನಾವು ವಿರುದ್ಧ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತೇವೆ ಎಂದು ಭಾವಿಸೋಣ.
ಇದು ಎರಡು ಬದಿಗಳ ನಡುವಿನ ಶಕ್ತಿಯ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಕೆಲವು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ದಾಟಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ.

Spanish: 
Supongamos que aplicamos un voltaje externo como se muestra.
Este voltaje aumenta la diferencia en la energía entre el material de tipo N y el material de tipo P,
haciendo aún más difícil que los electrones y los agujeros se crucen.
En esta situación, el dispositivo bloquea el flujo de corriente.
Ahora, supongamos que aplicamos un voltaje en la dirección opuesta.
Esto disminuye la diferencia de energía entre los dos lados, permitiendo que algunos electrones y agujeros se crucen.

Portuguese: 
Suponha que aplicemos uma tensão externa, como mostrado.
Essa tensão aumenta a diferença de energia entre o material do tipo N e o material do tipo P,
dificultando ainda mais a passagem de elétrons e buracos.
Nesta situação, o dispositivo bloqueia o fluxo de corrente.
Agora, suponha que aplicemos uma voltagem na direção oposta.
Isso diminui a diferença de energia entre os dois lados, permitindo a passagem de alguns elétrons e buracos.

Arabic: 
لنفترض أننا نطبق جهدًا خارجيًا كما هو موضح.
يزيد هذا الجهد من الاختلاف في الطاقة بين المواد من النوع N والمواد من النوع P ،
مما يزيد من صعوبة مرور الإلكترونات والثقوب.
في هذه الحالة ، يمنع الجهاز تدفق التيار.
الآن ، لنفترض أننا نطبق جهدًا في الاتجاه المعاكس.
هذا يقلل من فرق الطاقة بين الجانبين ، مما يسمح لبعض الإلكترونات والثقوب بالعبور.

Serbian: 
Прикључимо спољни напон, као што је приказано.
Овај напон повећава разлику у енергији између материјала N-типа и Р-типа,
што још више отежава електронима и рупама да пређу на другу страну.
У овој ситуацији, уређај блокира ток струје.
Сада, прикључимо спољни напон у супротном смеру.
Овим се смаљује енергетска разлика између две стране, што омогућава неким електронима и рупама да пређу.

Spanish: 
Supongamos que aplicamos un voltaje externo como se muestra.
Este voltaje aumenta la diferencia en la energía entre el material tipo N y el material tipo P,
haciendo aún más difícil que los electrones y los huecos puedan cruzar.
En esta situación, el dispositivo bloquea el flujo de corriente.
Ahora, supongamos que se aplica un voltaje en la dirección opuesta.
Esto disminuye la diferencia de energía entre los dos lados, permitiendo que algunos electrones y huecos puedan cruzar.

Telugu: 
చూపిన విధంగా మనం బాహ్య వోల్టేజ్‌ను వర్తింపజేద్దాం.
ఈ వోల్టేజ్ N- రకం పదార్థం మరియు P- రకం పదార్థం మధ్య శక్తిలో వ్యత్యాసాన్ని పెంచుతుంది,
ఎలక్ట్రాన్లు మరియు రంధ్రాలు దాటడం మరింత కష్టతరం చేస్తుంది.
ఈ పరిస్థితిలో, పరికరం కరెంట్ ప్రవాహాన్ని అడ్డుకుంటుంది.
ఇప్పుడు, మేము వ్యతిరేక దిశలో వోల్టేజ్ను వర్తింపజేద్దాం.
ఇది రెండు వైపుల మధ్య శక్తి వ్యత్యాసాన్ని తగ్గిస్తుంది, కొన్ని ఎలక్ట్రాన్లు మరియు రంధ్రాలను దాటడానికి అనుమతిస్తుంది.

Modern Greek (1453-): 
Ας υποθέσουμε ότι εφαρμόζουμε μια εξωτερική τάση όπως φαίνεται στο σχήμα.
Αυτή η τάση αυξάνει τη διαφορά στην ενέργεια μεταξύ του υλικού τύπου Ν και του υλικού τύπου Ρ,
καθιστώντας ακόμη πιο δύσκολη τη μετάβαση για τα ηλεκτρόνια και τις τρύπες.
Σε αυτήν την περίπτωση, η συσκευή εμποδίζει τη ροή του ρεύματος.
Τώρα, ας υποθέσουμε ότι εφαρμόζουμε μια τάση προς την αντίθετη κατεύθυνση.
Αυτό μειώνει τη διαφορά ενέργειας μεταξύ των δύο πλευρών, επιτρέποντας σε κάποια ηλεκτρόνια και οπές να περάσουν στην άλλη περιοχή.

Malayalam: 
കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ ഒരു ബാഹ്യ വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിക്കുന്നുവെന്ന് കരുതുക.
ഈ വോൾട്ടേജ് N-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലും  P-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലും തമ്മിലുള്ള ഊർജ്ജത്തിലെ വ്യത്യാസം വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നു
ഇത് ഇലക്ട്രോണുകൾക്കും ദ്വാരങ്ങൾക്കും കുറുകെ കടക്കുന്നത് കൂടുതൽ ബുദ്ധിമുട്ടാക്കുന്നു
ഈ സാഹചര്യത്തിൽ, ഉപകരണം വൈദ്യുത പ്രവാഹത്തെ തടയുന്നു.
ഇപ്പോൾ, വിപരീത ദിശയിൽ ഒരു വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിക്കുന്നുവെന്ന് കരുതുക
ഇത് രണ്ട് വശങ്ങളും തമ്മിലുള്ള ഊർജ്ജ വ്യത്യാസം കുറയ്ക്കുന്നു, ഇത് ചില ഇലക്ട്രോണുകളെയും ദ്വാരങ്ങളെയും മറികടക്കാൻ അനുവദിക്കുന്നു

Indonesian: 
Misalkan kita menerapkan tegangan eksternal seperti yang ditunjukkan.
Tegangan ini meningkatkan perbedaan energi antara material Tipe-N dan material tipe-P,
membuatnya semakin sulit bagi elektron dan lubang untuk menyeberang.
Dalam situasi ini, perangkat memblokir aliran arus.
Sekarang, anggaplah kita menerapkan tegangan ke arah yang berlawanan.
Ini mengurangi perbedaan energi antara kedua sisi, memungkinkan beberapa elektron dan lubang untuk menyeberang.

Turkish: 
Gösterildiği gibi harici bir voltaj uyguladığımızı varsayalım.
Bu voltaj N-Tipi malzeme ile P-tipi malzeme arasındaki enerji farkını arttırır,
elektronların ve deliklerin geçmesini daha da zorlaştırır.
Bu durumda, cihaz akım akışını engeller.
Şimdi, zıt yönde bir voltaj uyguladığımızı varsayalım.
Bu, iki taraf arasındaki enerji farkını azaltarak bazı elektronların ve deliklerin üstünden geçmesine izin verir.

Italian: 
Si supponga di applicare un voltaggio esterno come mostrato.
Questo voltaggio incrementa la differenza di energia tra il materiale di tipo N  e il materiale di tipo P,
rendendo addirittura l'attraversamento più difficile per elettroni e lacune.
In questa situazione, il dispositivo blocca la circolazione di corrente.
Ora, si supponga di applicare un voltaggio nella direzione opposta.
Questo fa decrescere la differenza di energia tra i due lati, consentendo ad alcuni elettroni e lacune di fare l'attraversamento.

Japanese: 
図のように外部電圧を印加します
この電圧により、N型材料と P型材料のエネルギー差が大きくなり
電子とホールの交差がさらに困難になります
この状況では、部品は電流の流れをブロックします
ここで、反対向きに電圧を印加します
これにより、2つの側の間のエネルギー差が減り、一部の電子とホールが交差できるようになります

Russian: 
Предположим, мы приложим внешнее напряжение, как показано на рисунке.
Это напряжение увеличивает разницу в энергии между материалом N-типа и материалом P-типа,
что затрудняет переход границы для электронов и дырок.
В этой ситуации устройство блокирует протекание тока.
Теперь предположим, что мы прикладываем напряжение в обратном направлении.
Это уменьшает разность энергий между двумя сторонами, позволяя некоторым электронам и дырам переходить границу.

Persian: 
فرض کنید ما یک اختلاف پتانسیل خارجی را به این صورت اعمال کنیم
این کار باعث میشود اختلاف سطوح انرژی بین دو لایه افزایش یابد
که در نتیجه شرایط برای عبور الکترونها و حفره ها سخت تر هم میشود
در چنین شرایطی، جریان الکتریسیته به طور کامل قطع میشود.
اکنون فرض کنید که جهت اختلاف پتانسیل اعمال شده بر عکس شود.
اختلاف سطوح انرژی لایه ها کاهش می یابد و تعدادی از الکترونها و حفره ها

Persian: 
اکنون قادر هستند به سمت مقابل جریان پیدا کنند
از آنجایی که تعداد الکترونها در نوع N بیشتر است
و تعداد حفره ها در نوع P بیشتر است
جریان خالص الکترونها از نوع N به نوع P  خواهد بود
و جریان خالص حفره ها نیز از نوع P به نوع N خواهد بود
هر حفره ای که به سمت چپ میرود به یک الکترون نیاز دارد که به سمت راست برود
این بدین معنی است که داخل هر نوع N و نوع P
یک جریان خالص از الکترون از سمت چپ به راست است
با همین تئوری ما قطعه ای ساخته ایم به نام دیود که تنها از یک سمت به جریان اجازه عبور میدهد
و جریان از سمت مخالف را بلاک میکند

Telugu: 
N- రకం పదార్థంలో ఎలక్ట్రాన్ల సాంద్రత ఎక్కువగా ఉంటుంది కాబట్టి
మరియు రంధ్రాల సాంద్రత P- రకం పదార్థంలో ఎక్కువగా ఉంటుంది,
ఎలక్ట్రాన్ల నికర ప్రవాహం N- రకం నుండి P- రకానికి,
మరియు రంధ్రాల నికర ప్రవాహం P- రకం నుండి N- రకానికి వస్తుంది.
ఎడమ వైపుకు కదిలే రంధ్రం కుడివైపుకు కదిలే ఎలక్ట్రాన్ అవసరం,
అంటే N- రకం మరియు P- రకం పదార్థాల రెండింటి లోపల,
ఎడమ నుండి కుడికి కదిలే ఎలక్ట్రాన్ల నికర ప్రవాహం ఉంది.
మేము "డయోడ్" అని పిలువబడే ఒక పరికరాన్ని సృష్టించాము, ఇది కరెంట్ ఒక దిశలో ప్రవహించటానికి అనుమతిస్తుంది, కాని ప్రస్తుత దిశను వ్యతిరేక దిశలో ప్రవహించకుండా అడ్డుకుంటుంది.

Spanish: 
Dado que la densidad de electrones es mayor en el material de tipo N
y la densidad de agujeros es mayor en el material tipo P,
el flujo neto de electrones es del tipo N al tipo P,
y el flujo neto de agujeros es del tipo P al tipo N.
Un agujero que se mueve hacia la izquierda requiere un electrón que se mueva hacia la derecha,
lo que significa que dentro de los materiales tipo N y tipo P,
Hay un flujo neto de electrones que se mueve de izquierda a derecha.
Hemos creado un dispositivo llamado "diodo", que permite que la corriente fluya en una dirección, pero bloquea la corriente en la dirección opuesta.

Portuguese: 
Como a densidade de elétrons é maior no material do tipo N
e a densidade dos furos é maior no material do tipo P,
o fluxo líquido de elétrons é do tipo N para o tipo P,
e o fluxo líquido de orifícios é do tipo P para o tipo N.
Um buraco se movendo para a esquerda requer um elétron se movendo para a direita,
o que significa que, dentro dos materiais do tipo N e do tipo P,
existe um fluxo líquido de elétrons se movendo da esquerda para a direita.
Criamos um dispositivo chamado "diodo", que permite que a corrente flua em uma direção, mas impede que a corrente flua na direção oposta.

Modern Greek (1453-): 
Δεδομένου ότι η πυκνότητα των ηλεκτρονίων είναι υψηλότερη στο υλικό τύπου Ν
και η πυκνότητα των οπών είναι υψηλότερη στο υλικό τύπου Ρ,
η συνολική ροή των ηλεκτρονίων είναι από τον τύπο Ν στον τύπο Ρ,
και η συνολική ροή των οπών είναι από τον τύπο Ρ στον τύπο Ν.
Μια οπή που κινείται προς τα αριστερά απαιτεί ένα ηλεκτρόνιο να κινείται προς τα δεξιά,
πράγμα που σημαίνει ότι τόσο στα υλικά τύπου Ν όσο και στα υλικά τύπου Ρ,
υπάρχει μια συνολική ροή ηλεκτρονίων που κινούνται από τα αριστερά προς τα δεξιά.
Δημιουργήσαμε μια συσκευή που ονομάζεται "δίοδος", η οποία επιτρέπει στο ρεύμα να ρέει προς μία κατεύθυνση, αλλά εμποδίζει το ρεύμα να ρέει προς την αντίθετη κατεύθυνση.

Spanish: 
Ya que la densidad de electrones es mayor en el material tipo N
y la densidad de huecos es mayor en el material tipo P,
el flujo neto de electrones va del tipo N al tipo P,
y el flujo neto de huecos va del tipo P al tipo N.
Un huevo que se mueve hacia la izquierda requiere que un electrón se mueva hacia la derecha,
lo que significa que dentro ambos materiales, el tipo N y el tipo P,
hay un flujo neto de electrones que se mueve de izquierda a derecha.
Hemos creado un dispositivo llamado "diodo", que permite que la corriente fluya en una dirección, pero bloquea la corriente en la dirección opuesta.

Japanese: 
電子密度は N型材料の方が高く
ホールの密度は P型材料の方が高いため
電子の正味の流れは　N型から P型へ
そして、ホールの正味の流れは　P型から N型へです
左に移るホールは、右に移る電子を必要とします
つまり、N型と P型の両方の材料の内側に
左から右に移動する電子の正味の流れがあります
「ダイオード」と呼ぶ部品ができました　これは、電流を一方通行で流し、反対向きに流れるのを阻止します

Kannada: 
ಎನ್-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುವಿನಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಹೆಚ್ಚಿರುವುದರಿಂದ
ಮತ್ತು ಪಿ-ಮಾದರಿಯ ವಸ್ತುವಿನಲ್ಲಿ ರಂಧ್ರಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ,
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳ ನಿವ್ವಳ ಹರಿವು N- ಪ್ರಕಾರದಿಂದ P- ಪ್ರಕಾರಕ್ಕೆ,
ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳ ನಿವ್ವಳ ಹರಿವು ಪಿ-ಪ್ರಕಾರದಿಂದ ಎನ್-ಪ್ರಕಾರಕ್ಕೆ ಇರುತ್ತದೆ.
ಎಡಕ್ಕೆ ಚಲಿಸುವ ರಂಧ್ರಕ್ಕೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬಲಕ್ಕೆ ಚಲಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿದೆ,
ಇದರರ್ಥ ಎನ್-ಟೈಪ್ ಮತ್ತು ಪಿ-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುಗಳೆರಡರ ಒಳಗೆ,
ಎಡದಿಂದ ಬಲಕ್ಕೆ ಚಲಿಸುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್‌ಗಳ ನಿವ್ವಳ ಹರಿವು ಇದೆ.
ನಾವು "ಡಯೋಡ್" ಎಂಬ ಸಾಧನವನ್ನು ರಚಿಸಿದ್ದೇವೆ, ಅದು ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಒಂದು ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಹರಿಯುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ವಿರುದ್ಧ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಹರಿಯದಂತೆ ತಡೆಯುತ್ತದೆ.

Indonesian: 
Karena kerapatan elektron lebih tinggi pada bahan tipe-N
dan kepadatan lubang lebih tinggi pada bahan tipe-P,
aliran bersih elektron adalah dari tipe-N ke dalam tipe-P,
dan aliran lubang adalah dari tipe-P ke tipe-N.
Sebuah lubang yang bergerak ke kiri membutuhkan elektron yang bergerak ke kanan,
yang berarti bahwa di dalam bahan tipe-N dan tipe-P,
ada aliran elektron yang bergerak dari kiri ke kanan.
Kami telah membuat perangkat yang disebut "dioda", yang memungkinkan arus mengalir dalam satu arah, tetapi menghalangi arus agar tidak mengalir ke arah yang berlawanan.

Vietnamese: 
Vì mật độ của các electron cao hơn trong vật liệu loại N
và mật độ lỗ cao hơn trong vật liệu loại P,
dòng ròng của các electron là từ loại N sang loại P,
và dòng chảy ròng của các lỗ là từ loại P sang loại N.
Một lỗ trống di chuyển sang trái yêu cầu một điện tử di chuyển sang phải,
có nghĩa là bên trong cả vật liệu loại N và loại P,
có một dòng electron thuần chuyển động từ trái sang phải.
Chúng tôi đã tạo ra một thiết bị gọi là "diode", cho phép dòng điện chạy theo một hướng, nhưng chặn dòng điện chạy theo hướng ngược lại.

English: 
Since the density of electrons is higher in the N-type material
and the density of holes is higher in the P-type material,
the net flow of electrons is from the N-type into the P-type,
and the net flow of holes is from the P-type into the N-type.
A hole moving to the left requires an electron moving to the right,
which means that inside both the N-type and the P-type materials,
there is a net flow of electrons moving from the left to the right.
We have created a device called a "diode", which allows current to flow in one direction, but blocks current from flowing in the opposite direction.

Italian: 
Poiché la densità degli elettroni è più alta nel terminale di tipo N
e la densità delle lacune è più alta nel materiale di tipo P,
il flusso netto di elettroni è dal tipo N al tipo P,
ed il flusso netto di lacune è dal tipo P al tipo N.
Una lacuna che si muove sulla sinistra richiede che un elettrone si muova sulla destra,
che significa che dentro entrambi i materiali di tipo N e di tipo P,
C'è un flusso netto di elettroni che si muovono da sinistra a destra.
Abbiamo creato un dispositivo chiamato diodo, che consente alla corrente di circolare in una sola direzione, bloccando la corrente che fluisce dalla direzione opposta

Hindi: 
चूंकि एन-प्रकार की सामग्री में इलेक्ट्रॉनों का घनत्व अधिक होता है
और छेदों का घनत्व पी-प्रकार की सामग्री में अधिक है,
इलेक्ट्रॉनों का शुद्ध प्रवाह N- प्रकार से P- प्रकार में है,
और छेदों का शुद्ध प्रवाह पी-प्रकार से एन-प्रकार में है।
एक छिद्र को बाईं ओर ले जाने के लिए एक इलेक्ट्रॉन को दाईं ओर ले जाना पड़ता है,
जिसका अर्थ है कि एन-प्रकार और पी-टाइप दोनों सामग्रियों के अंदर,
इलेक्ट्रॉनों का शुद्ध प्रवाह बाएं से दाएं की ओर बढ़ रहा है।
हमने एक "डायोड" नामक एक उपकरण बनाया है, जो वर्तमान को एक दिशा में प्रवाह करने की अनुमति देता है, लेकिन वर्तमान को विपरीत दिशा में बहने से रोकता है।

Malayalam: 
N-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലിൽ ഇലക്ട്രോണുകളുടെ സാന്ദ്രത കൂടുതലായതിനാൽ
P-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലിൽ ദ്വാരങ്ങളുടെ സാന്ദ്രത കൂടുതലാണ്,
ഇലക്ട്രോണുകളുടെ ആകെ   പ്രവാഹം  N-ടൈപ്പിൽ നിന്ന് P-ടൈപ്പിലേക്ക്,
ദ്വാരങ്ങളുടെ ആകെ പ്രവാഹം P-ടൈപ്പിൽ നിന്ന് എൻ-ടൈപ്പിലേക്ക്.
ഇടത്തേക്ക് നീങ്ങുന്ന ഒരു ദ്വാരത്തിന് വലത്തേക്ക് ഒരു ഇലക്ട്രോൺ ആവശ്യമാണ്,
അതിനർത്ഥം  N-ടൈപ്പ്, P-ടൈപ്പ് പദാർത്തൾക്കുള്ളിൽ,
ഇടത് നിന്ന് വലത്തേക്ക് നീങ്ങുന്ന ഇലക്ട്രോണുകളുടെ ഒരു പ്രവാഹം ഉണ്ട്
"ഡയോഡ്" എന്ന് വിളിക്കുന്ന ഒരു ഉപകരണം ഞങ്ങൾ സൃഷ്ടിച്ചു, അത് ഒരു ദിശയിലേക്ക് വൈദ്യുത പ്രവാഹം അനുവദിക്കുന്നു, പക്ഷേ വിപരീത ദിശയിലേക്ക് പ്രവഹിക്കുന്നത് തടയുന്നു

Turkish: 
N tipi malzemede elektron yoğunluğu daha yüksek olduğundan
ve P tipi malzemede deliklerin yoğunluğu daha yüksektir,
elektronların net akışı N-tipinden P-tipine,
ve deliklerin net akışı P-tipinden N-tipine doğrudur.
Sola hareket eden bir delik, sağa hareket eden bir elektron gerektirir,
yani hem N tipi hem de P tipi malzemelerin içinde,
soldan sağa doğru hareket eden net bir elektron akışı vardır.
Akımın bir yönde akmasına izin veren, ancak akımın ters yönde akmasını engelleyen "diyot" adı verilen bir cihaz oluşturduk.

Russian: 
Так как плотность электронов выше в материале N-типа
и плотность дыр выше в материале P-типа,
это вызывает поток электронов из N-типа в P-тип,
и чистый поток "дыр" из P-типа в N-тип.
Дыра, движущаяся влево, требует, чтобы электрон двигался вправо,
Это означает, что внутри материалов как N-типа, так и P-типа,
поток электронов движется слева направо.
Мы создали устройство под названием «диод», которое позволяет току течь в одном направлении, но блокирует ток в противоположном направлении.

Arabic: 
بما أن كثافة الإلكترونات أعلى في مادة النوع N.
وتكون كثافة الثقوب أعلى في مادة النوع P ،
التدفق الصافي للإلكترونات من النوع N إلى النوع P ،
ويكون التدفق الصافي للثقوب من النوع P إلى النوع N.
تتطلب الثقب الذي يتحرك إلى اليسار إلكترونًا يتحرك إلى اليمين ،
مما يعني أنه داخل كل من المواد من نوع N و P ،
هناك تدفق صافي للإلكترونات التي تتحرك من اليسار إلى اليمين.
لقد أنشأنا جهازًا يسمى "الصمام الثنائي" ، والذي يسمح للتيار بالتدفق في اتجاه واحد ، ولكنه يمنع التيار من التدفق في الاتجاه المعاكس.

Serbian: 
Пошто је густина електрона већа у материјалу N-типа
и густина рупа је већа у материјалу Р-типа,
укупан проток електрона је од N-типа ка P-типу,
а укупан проток рупа је од P-типа ка N-типу.
Да би се рупа померала у десно, електрон мора да се помера у лево,
што значи да унутар материјала и N-типа и P-типа
постоји резултантни ток електрона с лева на десно.
Створили смо уређај који се зове "диода", која допушта струји да тече у једном смеру, али блокира струју у другом смеру.

Telugu: 
మేము రెండు వేర్వేరు N- రకం పదార్థాల మధ్య P- రకం పదార్థాన్ని ఉంచినప్పుడు ఏమి జరుగుతుందో ఇప్పుడు పరిశీలిద్దాం.
మేము చూపిన విధంగా వోల్టేజ్‌ను వర్తింపజేస్తే, పరికరం కరెంట్ ప్రవాహాన్ని అడ్డుకుంటుంది.

Spanish: 
Ahora consideremos lo que sucede cuando colocamos un material de tipo P entre dos materiales de tipo N diferentes.
Si aplicamos un voltaje como se muestra, el dispositivo bloqueará el flujo de corriente.

English: 
Let’s now consider what happens when we place a P-type material in between two different N-type materials.
If we apply a voltage as shown, the device will block the flow of current.

Italian: 
Consideriamo ora cosa accade quando posizioniamo un materiale di tipo P tra due differenti materiali di tipo N.
Se noi applichiamo un voltaggio come mostrato, il dispositivo bloccherà la circolazione della corrente.

Arabic: 
دعونا نفكر الآن في ما يحدث عندما نضع مادة من النوع P بين مادتين مختلفتين من النوع N.
إذا قمنا بتطبيق جهد كما هو موضح ، فإن الجهاز سوف يمنع تدفق التيار.

Portuguese: 
Vamos agora considerar o que acontece quando colocamos um material do tipo P entre dois materiais diferentes do tipo N.
Se aplicarmos uma tensão conforme mostrado, o dispositivo bloqueará o fluxo de corrente.

Russian: 
Давайте теперь рассмотрим, что происходит, когда мы помещаем материал P-типа между двумя различными материалами N-типа.
Если мы подадим напряжение, как показано, устройство заблокирует поток тока.

Japanese: 
次に、P型材料を 2つの N型材料の間にいれるとどうなるかを考えましょう
図のように電圧をかけると、部品は電流を遮断します

Hindi: 
आइए अब विचार करें कि क्या होता है जब हम दो अलग-अलग एन-टाइप सामग्रियों के बीच में पी-टाइप सामग्री रखते हैं।
यदि हम दिखाए गए अनुसार वोल्टेज लागू करते हैं, तो डिवाइस वर्तमान के प्रवाह को रोक देगा।

Turkish: 
Şimdi iki farklı N tipi malzeme arasına P tipi bir malzeme yerleştirdiğimizde neler olacağını düşünelim.
Gösterildiği gibi bir voltaj uygularsak, cihaz akım akışını engelleyecektir.

Modern Greek (1453-): 
Ας εξετάσουμε τώρα τι συμβαίνει όταν τοποθετούμε ένα υλικό τύπου Ρ ανάμεσα σε δύο διαφορετικά υλικά τύπου Ν.
Αν εφαρμόσουμε τάση όπως φαίνεται, η συσκευή θα εμποδίσει τη ροή ρεύματος.

Persian: 
اکنون بیایید فرض کنیم که یک نوع P را بین دو نوع N قرار داده ایم، به نظر شما چه اتفاقی میافتد؟
اگر ما با توجه به شکل، یک اختلاف پتانسیل به این سیستم وارد کنیم
قطعه آن را بلاک میکند

Serbian: 
Хајде сада да размотримо шта се дешава када ставимо материјал Р-типа између два материјала N-типа.
Ако прикључимо напон као што је приказано, уређај ће блокирати ток струје.

Indonesian: 
Sekarang mari kita pertimbangkan apa yang terjadi ketika kita menempatkan bahan tipe-P di antara dua bahan tipe-N yang berbeda.
Jika kita menerapkan tegangan seperti yang ditunjukkan, perangkat akan memblokir aliran arus.

Spanish: 
Consideremos ahora qué sucede cuando colocamos un material tipo P entre dos materiales tipo N diferentes.
Si aplicamos un voltaje como se muestra, el dispositivo bloqueará el flujo de corriente.

Vietnamese: 
Bây giờ chúng ta hãy xem xét điều gì sẽ xảy ra khi chúng ta đặt một vật liệu loại P vào giữa hai vật liệu loại N khác nhau.
Nếu chúng ta đặt một điện áp như hình, thiết bị sẽ chặn dòng điện chạy qua.

Malayalam: 
രണ്ട് വ്യത്യസ്ത N-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയലുകൾക്കിടയിൽ ഒരു  P-ടൈപ്പ് മെറ്റീരിയൽ സ്ഥാപിക്കുമ്പോൾ എന്തുസംഭവിക്കുമെന്നത് ഇപ്പോൾ പരിഗണിക്കാം.
കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ  ഒരു വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിക്കുകയാണെങ്കിൽ, ഉപകരണം വൈദ്യുത പ്രവാഹത്തെ തടയും

Kannada: 
ನಾವು ಎರಡು ವಿಭಿನ್ನ ಎನ್-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುಗಳ ನಡುವೆ ಪಿ-ಟೈಪ್ ವಸ್ತುವನ್ನು ಇರಿಸಿದಾಗ ಏನಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಈಗ ಪರಿಗಣಿಸೋಣ.
ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ ನಾವು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಿದರೆ, ಸಾಧನವು ಪ್ರವಾಹದ ಹರಿವನ್ನು ನಿರ್ಬಂಧಿಸುತ್ತದೆ.

Malayalam: 
ഈ മറ്റൊരു സ്ഥലത്ത് ഇപ്പോൾ ഒരു ചെറിയ വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിക്കാം
ഈ ഉപകരണം ഇപ്പോൾ  വൈദ്യുതി കടത്തിവീടാൻ അനുവതിക്കുന്നു

Serbian: 
Хајде да сада прикључимо само мали напон на ово друго место.
Уређај сада допушта ток електричне струје.

Indonesian: 
Sekarang mari kita terapkan hanya tegangan kecil di lokasi lain ini.
Perangkat sekarang memungkinkan arus mengalir.

Arabic: 
لنقم الآن بتطبيق جهد صغير في هذا الموقع الآخر.
يسمح الجهاز الآن بتدفق التيار.

Modern Greek (1453-): 
Ας εφαρμόσουμε τώρα μια μικρή τάση σε αυτό το άλλο σημείο.
Η συσκευή τώρα επιτρέπει τη ροή του ρεύματος.

Kannada: 
ಈಗ ಈ ಇತರ ಸ್ಥಳದಲ್ಲಿ ಕೇವಲ ಒಂದು ಸಣ್ಣ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸೋಣ.
ಸಾಧನವು ಈಗ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಹರಿಯಲು ಅನುಮತಿಸುತ್ತಿದೆ.

Telugu: 
ఇప్పుడు ఈ ఇతర ప్రదేశంలో ఒక చిన్న వోల్టేజ్‌ను వర్తింపజేద్దాం.
పరికరం ఇప్పుడు కరెంట్ ప్రవహించడానికి అనుమతిస్తుంది.

Persian: 
اکنون بیایید کمی اختلاف پتانسیل به مسیر وسط به صورت جداگانه وارد کنیم
اکنون، سیستم به جریان اجازه عبور میدهد.

Italian: 
Applichiamo giusto un piccolo voltaggio in questa altra posizione.
Il dispositivo sta ora consentendo alla corrente di circolare.

Hindi: 
आइए अब इस अन्य स्थान पर केवल एक छोटा वोल्टेज लागू करें।
डिवाइस अब प्रवाह को चालू करने की अनुमति दे रहा है।

Portuguese: 
Vamos agora aplicar apenas uma pequena voltagem neste outro local.
O dispositivo agora está permitindo que a corrente flua.

Spanish: 
Ahora apliquemos solo un pequeño voltaje en esta otra ubicación.
El dispositivo ahora permite que la corriente fluya.

Russian: 
Давайте теперь подадим небольшое напряжение в этом другом месте.
Теперь устройство пропускает ток.

English: 
Let’s now apply just a small voltage in this other location.
The device is now allowing current to flow.

Vietnamese: 
Bây giờ chúng ta hãy chỉ áp dụng một điện áp nhỏ ở vị trí khác này.
Thiết bị hiện đang cho phép dòng điện chạy qua.

Spanish: 
Ahora apliquemos sólo un pequeño voltaje en esta otra ubicación.
El dispositivo ahora permite que la corriente fluya.

Turkish: 
Şimdi bu yere sadece küçük bir voltaj uygulayalım.
Cihaz şimdi akımın akmasına izin veriyor.

Japanese: 
小さな電圧を　この別の場所にかけてみましょう
部品はいま、電流を流しています

Vietnamese: 
Ở đây, một dòng điện rất nhỏ qua thiết bị đầu cuối ở giữa sẽ điều khiển một dòng điện lớn hơn nhiều qua hai thiết bị đầu cuối còn lại.
Chúng tôi gọi thiết bị này là bóng bán dẫn NPN, và đây chỉ là một trong nhiều cách khác nhau để cấu tạo bóng bán dẫn từ chất bán dẫn.
Bóng bán dẫn là nền tảng của điện tử hiện đại và bóng bán dẫn chỉ là một ví dụ trong số nhiều loại thiết bị khác nhau có thể được tạo ra từ chất bán dẫn.
Có nhiều thông tin hơn trong các video khác trên kênh này và vui lòng đăng ký nhận thông báo khi có video mới.

Russian: 
Здесь очень маленький ток через среднюю клемму контролирует намного больший ток через две другие клеммы.
Мы называем это устройство NPN-транзистором, и это всего лишь один из многих различных способов построения транзистора из полупроводников.
Транзисторы являются основой современной электроники, а транзисторы являются лишь одним примером множества различных типов устройств, которые могут быть изготовлены из полупроводников.
Более подробная информация доступна в других видео на этом канале, и, пожалуйста, подпишитесь на уведомления, когда новые видео будут готовы.

Japanese: 
中央端子の非常に小さな電流が、他の 2つの端子間のずっと大きな電流を制御しています
この部品を NPNトランジスタと呼びます　これは、半導体からトランジスタを構成するさまざまな方法の 1つにすぎません
トランジスタは現代の電子工学の基礎です　また半導体から作ることができる多くの部品のほんの一例です
このチャンネルのビデオでさらに多くの情報が得られます　チャンネルを登録して新しいビデオの通知を受け取ってください

Indonesian: 
Di sini, arus yang sangat kecil melalui terminal tengah mengontrol arus yang jauh lebih besar melalui dua terminal lainnya.
Kami menyebut perangkat ini sebagai transistor NPN, dan ini hanyalah salah satu dari banyak cara berbeda untuk membangun transistor dari semikonduktor.
Transistor adalah dasar dari elektronik modern dan transistor hanyalah salah satu contoh dari berbagai jenis perangkat yang dapat dibuat dari semikonduktor.
Lebih banyak informasi tersedia di video lain di saluran ini dan silakan berlangganan pemberitahuan ketika video baru siap.

Turkish: 
Burada, orta terminalden çok küçük bir akım, diğer iki terminalden çok daha büyük bir akımı kontrol eder.
Bu cihaza NPN transistör diyoruz ve bu, yarı iletkenlerden bir transistör inşa etmenin birçok farklı yolundan sadece biri.
Transistörler modern elektroniklerin temelini oluşturur ve transistörler, yarı iletkenlerden yapılabilen birçok farklı cihaz tipine sadece bir örnektir.
Bu kanaldaki diğer videolarda çok daha fazla bilgi var ve lütfen yeni videolar hazır olduğunda bildirimler için abone olun.

Hindi: 
यहां, मध्य टर्मिनल के माध्यम से एक बहुत छोटा वर्तमान अन्य दो टर्मिनलों के माध्यम से बहुत बड़ा वर्तमान नियंत्रित करता है।
हम इस डिवाइस को एनपीएन ट्रांजिस्टर कहते हैं, और सेमीकंडक्टर्स से बाहर ट्रांजिस्टर के निर्माण के लिए यह कई अलग-अलग तरीकों में से एक है।
ट्रांजिस्टर आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स की नींव हैं और ट्रांजिस्टर कई विभिन्न प्रकार के उपकरणों का केवल एक उदाहरण है जो अर्धचालकों से बनाया जा सकता है।
इस चैनल पर अन्य वीडियो में बहुत अधिक जानकारी उपलब्ध है और नए वीडियो तैयार होने पर कृपया सूचनाओं के लिए सदस्यता लें।

Arabic: 
هنا ، يتحكم تيار صغير جدًا من خلال الطرف الأوسط في تيار أكبر بكثير من خلال المحطتين الأخريين.
نسمي هذا الجهاز ترانزستور NPN ، وهذه ليست سوى واحدة من العديد من الطرق المختلفة لبناء الترانزستور من أشباه الموصلات.
الترانزستورات هي أساس الإلكترونيات الحديثة والترانزستورات ليست سوى مثال واحد على العديد من أنواع الأجهزة المختلفة التي يمكن تصنيعها من أشباه الموصلات.
يتوفر المزيد من المعلومات في مقاطع الفيديو الأخرى على هذه القناة ويرجى الاشتراك للحصول على إشعارات عندما تكون مقاطع الفيديو الجديدة جاهزة.

Serbian: 
Овде, веома мала струја кроз средњи прикључак контролише много већу струју кроз друга два прикључка.
Овај уређај зовемо N-Р-N транзистор, и ово је само један од много различитих начина да конструишемо транзистор до полупроводника.
Транзистори су основа модерне електронике и транзистори су само један примјер од много различитих уређаја који се могу направити од полупроводника.
Много више информација је доступно у другим снимцима на овом каналу и молим Вас претплатите се да бисте добијали обавештења када нови симци буду спемни.

Kannada: 
ಇಲ್ಲಿ, ಮಧ್ಯದ ಟರ್ಮಿನಲ್ ಮೂಲಕ ಬಹಳ ಸಣ್ಣ ಪ್ರವಾಹವು ಇತರ ಎರಡು ಟರ್ಮಿನಲ್‌ಗಳ ಮೂಲಕ ಹೆಚ್ಚು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತದೆ.
ನಾವು ಈ ಸಾಧನವನ್ನು ಎನ್‌ಪಿಎನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು ಅರೆವಾಹಕಗಳಿಂದ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸುವ ಹಲವು ವಿಭಿನ್ನ ವಿಧಾನಗಳಲ್ಲಿ ಇದು ಒಂದಾಗಿದೆ.
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಆಧುನಿಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್‌ನ ಅಡಿಪಾಯವಾಗಿದ್ದು, ಅರೆವಾಹಕಗಳಿಂದ ಮಾಡಬಹುದಾದ ಹಲವು ಬಗೆಯ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು ಕೇವಲ ಒಂದು ಉದಾಹರಣೆಯಾಗಿದೆ.
ಈ ಚಾನಲ್‌ನ ಇತರ ವೀಡಿಯೊಗಳಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಾಹಿತಿ ಲಭ್ಯವಿದೆ ಮತ್ತು ಹೊಸ ವೀಡಿಯೊಗಳು ಸಿದ್ಧವಾದಾಗ ದಯವಿಟ್ಟು ಅಧಿಸೂಚನೆಗಳಿಗಾಗಿ ಚಂದಾದಾರರಾಗಿ.

Italian: 
Qui, una piccolissima quantità di corrente attraverso il terminale medio controlla una corrente molto più grande attraverso gli altri due terminali
Noi chiamiamo questo dispositivo un N-P-N transistor, e questo è solo uno dei tanti differenti modi per ricavare un transistor a partire da un semiconduttore
I transistor sono alla base della moderna elettronica e sono l'unico esempio dei tanti differenti tipi di dispositivi che possono essere ottenuti a partire dai semiconduttori
Molte più informazioni disponibili negli altri video di questo canale e per favore sottoscrivete per notifiche quando sono pronti nuovi video

Portuguese: 
Aqui, uma corrente muito pequena através do terminal do meio controla uma corrente muito maior através dos outros dois terminais.
Chamamos esse dispositivo de transistor NPN, e essa é apenas uma das muitas maneiras diferentes de construir um transistor a partir de semicondutores.
Os transistores são a base da eletrônica moderna e os transistores são apenas um exemplo dos muitos tipos diferentes de dispositivos que podem ser fabricados a partir de semicondutores.
Muito mais informações estão disponíveis nos outros vídeos deste canal e se inscreva para receber notificações quando novos vídeos estiverem prontos.

Spanish: 
Aquí, una corriente muy pequeña a través del terminal central controla una corriente mucho mayor a través de los otros dos terminales.
Llamamos a este dispositivo un transistor NPN, y esta es solo una de las muchas formas diferentes de construir un transistor a partir de semiconductores.
Los transistores son la base de la electrónica moderna y los transistores son solo un ejemplo de los diferentes tipos de dispositivos que pueden fabricarse a partir de semiconductores.
Hay mucha más información disponible en los otros videos de este canal y suscríbase para recibir notificaciones cuando haya nuevos videos listos.

Persian: 
در اینجا، یک جریان بسیار کوچک در وسط در حال کنترل جریان بسیار بزرگتری بین دو سوی سیستم است
ما به چنین قطعه ای یک ترانزیستور NPN میگوییم، و این تنها یک مدل از انواع مختلف ترانزیستور است
ترانزیستورها، مبنای ساخت دستگاه های الکترونیکی جدید هستند، و این قطعه
تنها یک نمونه از انواع قطعاتی است که به وسیله نیمه رساناها ساخته میشود
 

English: 
Here, a very small current through the middle terminal controls a much larger current through the other two terminals.
We call this device an N-P-N transistor, and this is just one of many different ways to construct a transistor out of semiconductors.
Transistors are the foundation of modern electronics and transistors are only one example of the many different types of devices that can be made from semiconductors.
Much more information is available in the other videos on this channel and please subscribe for notifications when new videos are ready.

Telugu: 
ఇక్కడ, మిడిల్ టెర్మినల్ ద్వారా చాలా చిన్న కరెంట్ మిగతా రెండు టెర్మినల్స్ ద్వారా చాలా పెద్ద కరెంట్ ను నియంత్రిస్తుంది.
మేము ఈ పరికరాన్ని NPN ట్రాన్సిస్టర్ అని పిలుస్తాము మరియు సెమీకండక్టర్ల నుండి ట్రాన్సిస్టర్‌ను నిర్మించడానికి ఇది చాలా విభిన్న మార్గాలలో ఒకటి.
ఆధునిక ఎలక్ట్రానిక్స్ యొక్క పునాది ట్రాన్సిస్టర్లు మరియు సెమీకండక్టర్ల నుండి తయారు చేయగల అనేక రకాల పరికరాలకు ట్రాన్సిస్టర్లు ఒక ఉదాహరణ మాత్రమే.
ఈ ఛానెల్‌లోని ఇతర వీడియోలలో చాలా ఎక్కువ సమాచారం అందుబాటులో ఉంది మరియు దయచేసి క్రొత్త వీడియోలు సిద్ధంగా ఉన్నప్పుడు నోటిఫికేషన్‌ల కోసం చందా పొందండి.

Spanish: 
Aquí, una corriente muy pequeña a través de la terminal central controla una corriente mucho mayor a través de los otros dos terminales.
Llamamos a este dispositivo un transistor NPN, y esta es sólo una de las diversas formas de construir un transistor a partir de semiconductores.
Los transistores son la base de la electrónica moderna y los transistores son sólo un ejemplo de los diferentes tipos de dispositivos que pueden fabricarse a partir de semiconductores.
Hay mucha más información disponible en los otros videos de este canal, y por favor suscríbase para recibir notificaciones cuando hayan nuevos videos disponibles.

Modern Greek (1453-): 
Εδώ, ένα πολύ μικρό ρεύμα μέσω του μεσαίου άκρου ελέγχει ένα πολύ μεγαλύτερο ρεύμα μέσω των άλλων δύο άκρων.
Ονομάζουμε αυτή τη συσκευή ένα NPN τρανζίστορ και αυτό είναι μόνο ένας από τους πολλούς διαφορετικούς τρόπους κατασκευής ενός τρανζίστορ από ημιαγωγούς.
Τα τρανζίστορ είναι τα θεμέλια της σύγχρονης ηλεκτρονικής και μονάχα ένα παράδειγμα των πολλών διαφορετικών τύπων συσκευών που μπορούν να κατασκευαστούν από ημιαγωγούς.
Περισσότερες πληροφορίες είναι διαθέσιμες στα άλλα βίντεο αυτού του καναλιού και παρακαλώ να εγγραφείτε και να επιλέξετε να ενημερώνεστε για ειδοποιήσεις όταν νέα βίντεο είναι διαθέσιμα.

Malayalam: 
ഇവിടെ, നടുവിലെ ടെർമിനലിലൂടെ വളരെ ചെറിയ ഒരു കറൻറ്  മറ്റ് രണ്ട് ടെർമിനലുകളിലൂടെ വളരെ വലിയ വൈദ്യുതധാരയെ നിയന്ത്രിക്കുന്നു.
ഈ ഉപകരണത്തെ ഒരു N-P-N ട്രാൻസിസ്റ്റർ എന്ന് വിളിക്കുന്നു, മാത്രമല്ല ഇത് അർദ്ധചാലകങ്ങളിൽ നിന്ന് ഒരു ട്രാൻസിസ്റ്റർ നിർമ്മിക്കാനുള്ള വിവിധ മാർഗങ്ങളിൽ ഒന്ന് മാത്രമാണ്
ആധുനിക ഇലക്ട്രോണിക്സിന്റെ അടിത്തറയാണ് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ, അർദ്ധചാലകങ്ങളിൽ നിന്ന് നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയുന്ന വിവിധ തരം ഉപകരണങ്ങളുടെ ഒരു ഉദാഹരണം മാത്രമാണ് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ.
ഈ ചാനലിലെ മറ്റ് വീഡിയോകളിൽ കൂടുതൽ വിവരങ്ങൾ ലഭ്യമാണ്, പുതിയ വീഡിയോകൾ തയ്യാറാകുമ്പോൾ അറിയിപ്പുകൾക്കായി ദയവായി സബ്‌സ്‌ക്രൈബുചെയ്യുക.
